静态存储器介绍.docxVIP

Slide1. SRAM 的全称是 static random access memory， 它是一种最常用的 memory,核心 部分是两个 cross-coulped inverter 组成的 bi-stable latching circuit ，通常称为 flip-flop 的电路。 SRAM static 的特性主要是它不需要像 DRAM 那样定期对存储的数据进行刷新， 只要 Vdd 不 掉电，数据就可以稳定存储。 SRAM 最主要的应用就是缓存，缓存的作用是在 CPU 和内存 之间进行数据缓冲。像智能手机这样的一些高端电子产品， SRAM 是必不可少的。 SRAM 之所以可以做缓存是因为它有一个最为重要的优点： speed, SRAM 的读写频率可以到几个 Giga Hz ，比 DRAM 至少快一个 order。SRAM 最大的劣势在于 density 比较低，用的最多的 SRAM 是所谓的 6T traditional SRAM, 1 个 bitcell 有六个 MOSFET 组成，与 SRAM 对应的 DRAM 只需要一个 MOSFET 加一个 capacitor。bitcell 占用面积大导致 desity 低 ,density 低造成 cost 高，具体表现是同样容量的缓存会比内存条造价高很多。 Slide 2. 这是一个目前典型的 memory 架构， CPU+3 级缓存再加内存条，其中一级缓存经常用 8T dual port SRAM, 可以用两个 port 同时读写，速度最高，集成度也最低，三级缓存会用 high-density design 的 SRAM ，集成度最高，速度最低。从下面这幅实物图可以清楚 看到 multi-core 和三级缓存做在一起， stand alone 的 SRAM 已经很少看到， 一些低端的电子产品在介绍 CPU 性能参数的时候不会把缓存的信息单独列出来，但是对于像智能手机这样 高端的电子产品， 缓存的容量和工作频率绝对是一个重要的性能指标。 下面这张图根据价格和读写速度对 memory 进行一个排列，硬盘速度最低，价格最便宜，内存条其次，缓存速度 最高，造价也最高。接下来这张图是 SRAM 发展的 roadmap,绿线对应左边的纵坐标，表示 SRAM density 的变化情况， 每往前推进一个 generation, desity 翻倍，红点对应右边的纵坐标，表示 SRAM 工作频率的变化情况， 每推进一个 generation, speed 提升 15%. 最新的一些信息 显示 Intel 基于 22nm tri-gate finfet 工艺的 SRAM, 工作频率最高可以达到 4.6GHz 。 最后看 一下我们公司 SRAM 的一个大概的情况， 已经进入量产的基于 40nm low-leakage process 用 于 high density application 的面积最小的 bitcell 是 0.242 平方微米， desity 是 4Mb/ 平方毫米， 这个数值很容易算， 你拿一个平方毫米除以一个 bitcell 的面积就得到了 density, 我们公司像 客户提供 32Mega SRAM product, 同时 gurantee natural yield 在 90%以上，所谓的 natural yield 是指在不加 redundancy 的情况下看到的 yield, 我们 foundry 向 customer 提供的都是 natural yield. 什么是 redundancy 我稍后会讲。 28 127 bitcell design target 暂时定的是 128mega, 但是 困难很大， 目前 28PS 127 还没有 yield 。28PS 155 的 64M SRAM array yield 大概在 10% 到 20%。 28HKMG 情况更糟， 127 和 155 在 nominal vdd 下都没有看到 yield 。 Slide 3. 这是最常用的 6T-SRAM 的基本电路图， 1 个 bitcell 由六个 transistor 组成，四 个 NMOS 和两个 PMOS 。这个电路图的连接关系似乎有点乱，我们看一下简化的电路图， SRAM 的核心部分是两个 cross-coupled inverter 组成一个正反馈回路，可以保证 SRAM 有 两个稳定的存储状态“ 0”和“ 1”，电荷存储在 n1 和 n2 两个 storage node里面， n1 和 n2 的电容主要是寄生电容和耦合电容， 所以 SRAM 和 DRAM 从大的方面来说属于， 与此相对应 的是非易失性存储器，