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存储地址需要分两批传送 ? ? ? ? 行地址选通信号 RAS 有效，开始传送行地址 随后，列地址选通信号 CAS 有效，传送列地址 读写信号 WE 读有效（高电平） 数据从 D OUT 引脚输出 2164 （ 64K*1 ） A0~A7 为地址输入端。 D IN 和 D OUT 是 芯 片 上 的 RAS 为行地址锁存信号。 CAS 为列地址锁存信号。 WE 为写允许信号。 数据线。 动态存储器的刷新 ? ? ? 1. 刷新的定义及其原因 2. 动态刷新的实现方法 3. 刷新周期的安排方式 1. 刷新的定义及其原因 (1) 定义： 定期向电容补充电荷 (2) 原因 ? DRAM 依靠电容电荷存储信息，平时无电 源供电，时间一长电容电荷会泄放。因此 需定期 （每隔 2ms ） 向电容补充电荷 ，以 保持信息不变。 (3) 注意 刷新与重写 的区别 ? 前者是 非破坏性 从动态 M 读出数据，需补 充电荷以保持原来的信息。 ? 后者是在 破坏性读出 后通过重写恢复原来 的信息 2. 动态刷新的实现方法 ? 刷新基本过程 ? 按行刷新，并将每刷新一行所需时间定为一个 刷 新周期 首先由 刷新地址计数器 提供刷新行的行地址， 然后发送行选信号与读命令（即 CAS 为高电平） 即可 每刷新一行后 刷新地址计数器 加 1 ? ? ? ? 注意， DRAM 的制造工艺决定了必须在 2ms 内全 部刷新一遍。即最大刷新时间间隔为 2ms 。 3. 刷新周期的安排方式 （ 1 ）集中刷新 （ 2 ）分散刷新 （ 3 ）异步刷新 ? ? ? (1) 集中刷新方式 2ms 内集中安排所有刷新周期。其中， 刷新周期 总数 = 最大容量芯片的 行数 R/W R/W 50ns ? 刷新 刷新 2ms 死区 可见，主存器有两种状态： 优点： M 利用率高，控制简单 ? ①读 / 写 / 保持状态，由程序决定 不足：刷新期间不能访问 M ，形成死区，可用 ? 在实时性要求不高的场合。 ②刷新状态，在逻辑实现上由一个定时器 每 2ms 请求一次，然后由刷新计数器控制 一个计数循环，逐行刷新一遍。 存储器概述 存储器的分类 一、存储器基本概念 存储器由大量的记忆单元组成，记忆单元是一种具 有两个稳定状态的物理器件，可用来表示二进制的 0 和 1 ，这种物理器件一般由半导体器件或磁性材料等 构成 由若干个最基本的存储单元存储一个字，字长有 4 位、 8 位、 16 位以及 32 位等，在微机中，存储器 一律按 8 位二进制数（一个字节）编址，习惯上把 一个地址所寻址的 8 位二进制数称为一个存储单元 存储器容量一般都很大，无论内存还是外存， 均以字节为单元，常用的有 2 10 字节 =1KB ， 2 20 字节 =1024KB=1MB ， 2 30 字节 =1024MB=1GB ， 2 40 字节 =1024GB=1TB 存储器的容量与微机的地址线有关 毫秒 (ms) 微秒 (μs) 纳秒 (ns) 10 -3 s -6 s 10 -9 s ? 10 ? ? 微机中存储器的层次 CPU CACHE 主存（内存） 辅存（外存） 1. 内存 用于存放当前计算机正在执行或经常要使 用的程序或数据， CPU 可直接从内存中读取指 令并执行，还可直接从内存中存取数据。 速度快，容量有限 只读存储器 ROM 内存 随机存储器 RAM ? 只读存储器（ ROM ） ROM 表 示 只 读 存 储 器 （ Read Only Memory ），在制造 ROM 的时候，信息（数 据或程序）就被存入并永久保存。这些信息 只能读出，一般不能写入，即使机器停电， 这些数据也不会丢失。 ? 随即存储器 (RAM ） 随机存储器（ Random Access Memory ）表示既 可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源 关闭时，存于其中的数据就会丢失。 我们通常购买或升级的 内存条 就是用作电脑的内存， 内存条（ SIMM ）就是将 RAM 集成块集中在一起的 一小块 电路板 ，它插在计算机中的 内存插槽 上，以 减少 RAM 集成块占用的空间。 2 . 外存或辅存 把要永久保存的、大量的数据存储在外存上 ， 一般是由磁性材料以及运用激光技术等实现 的存储器，分为硬磁盘、软磁盘、光盘等。 容量大，但存取速度慢 3. 高速缓冲存储器 ? 位于 CPU 与内存之间，是一个读写速度比内 存更快的存储器。当 CPU 向内存中写入或读 出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存 储器中。当 CPU 再次需要这些数据时， CPU 就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问 较慢的内存，当然，如需要的数据在 Cache 中没有， CPU 会再去读取内存中的数据。 CPU CACHE 主存（内存）