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实验报告--霍尔效应原理及其 应用 成都信息工程学院 物理实验报告 姓名： 专业: 班级： 学号： 实验日期： 2006-09-03 -段— 实验教 室：5206 指导教师： 三、仪器用具： YX-04 型霍尔效应实验仪（ 仪器资产 编号） 四、实验原理： 1、霍尔效应现象及物理解释 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁 场中受洛仑兹力 fB 作用而引起的偏转。 当带电粒子 （电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转 就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电 荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图1 所示。 半导体样品，若在X方向通以电流Is，在Z方 向加磁场B，则在y方向即样品A、A 电极两侧 就开始聚积异号电荷而产生相应的电场 Eh，电场的 指向取决于样品的导电类型。显然，当载流子所 受的横向电场力fE fB时电荷不断聚积，电场不断加 强，直到fE fB样品两侧电荷的积累就达到平衡，即 样品A、A 间形成了稳定的电势差（霍尔电压） VH 设曰为霍尔电场，V是载流子在电流方向上的 平均漂移速度；样品的宽度为b，厚度为d，载流 子浓度为n，则有： I s nevbd 因为fE e 因为fE e曰 eVB，又根据fE fB，贝U Vh Eh b丄空Rh空 ne d d (1 — 2) 其中Rh 1/(ne)称为霍尔系数，是反映材料霍尔效 应强弱的重要参数。只要测出Vh、B以及知道＞s和d， 可按下式计算RH(m3/C): Rh Rh VHd IsB (1 — 3) Kh Uh /IsB (1— 4) Kh为霍尔元件灵敏度。根据R H可进一步确定 以下参数 （1） 由VH的符号（霍尔电压的正负）判断样 品的导电类型。判别的方法是按图1所示的 和B 的方向（即测量中的+ Is , + B ），若测得的Vh 0（即A的电位低于A的电位），则样品属N 型，反之为P型。 （2） 由VH求载流子浓度n，即n ged）。应该 指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同 的漂移速度得到的。严格一点，考虑载流子的速 度统计分布，需引入3/8的修正因子（可参阅黄昆、 谢希德著《半导体物理学》）。 （3） 结合电导率的测量，求载流子的迁移 率。电导率与载流子浓度n以及迁移率之间有 如下关系： ne (1— 5) 2、霍尔效应中的副效应 及其消除方法X-5 - 2、霍尔效应中的副效应 及其消除方法 X -5 - 上述推导是从理想情况出发的，实际情况要 复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产生 四种副效应，使VH的测量产生系统误差，如图2所 示。 厄廷好森效应引起的电势差VE。由于电 子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动，速 度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3的 侧面，从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高 的电子，结果3、4侧面出现温差，产生温差电 动势VE。可以证明VE IsB。VE的正负与Is和B的方向有 关。 能斯特效应引起的电势差vn。焊点1、 2间接触电阻可能不同，通电发热程度不同，故 1、2两点间温度可能不同，于是引起热扩散电 流。与霍尔效应类似，该热扩散电流也会在3、 4点间形成电势差vn。若只考虑接触电阻的差异， 则vn的方向仅与磁场B的方向有关。 里纪-勒杜克效应产生的电势差VR。上 述热扩散电流的载流子由于速度不同，根据厄廷 好森效应同样的理由，又会在3、4点间形成温 差电动势Vr。Vr的正负仅与b的方向有关，而与Is的 方向无关。 不等电势效应引起的电势差％。由于制 造上的困难及材料的不均匀性，3、4两点实际 上不可能在同一等势面上，只要有电流沿 x 方向 流过，即使没有磁场b ,3、4两点间也会出现电 势差％。％的正负只与电流》的方向有关，而与b的 方向无关。 综上所述，在确定的磁场b和电流山下，实际 测出的电压是霍尔效应电压与副效应产生的附加 电压的代数和。可以通过对称测量方法，即改变 Is 和磁场b的方向加以消除和减小副效应的影响。 在 规定了电流Is和磁场B正、反方向后，可以测量出 由下列四组不同方向的Is和B组合的电压。即： +B ， I s： V1 VH VE VN VR V0 TOC \o 1-5 \h \z + B Is ： V2 Vh Ve Vn Vr Vo ? ? -B Is： V3 Vh Ve Vn Vr V0 ? ? -B Is : V4 Vh Ve Vn Vr V。 ? ? 然后求V1 , V2 , V3 , V4的代数平均值得: Vi V2 V3 V4 4(Vh Ve) 通过上述测量方法，虽然不能消除所有的副 效应，但Ve较小，引入的误差不大，可以忽略不计, 因此霍尔效应电压Vh可近似为 Vh ￡(Vi V2 V3 V,) 4 (1 — 6) 3、直螺线管中的磁场分布 1、以