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（工艺技术）TSMC工艺 的版图教程 2020年3月 卓越管理暂阵精心制作「多年企业咨询经验F精品管理方聚 值得您下瞬有! PAGE PAGE # 目录 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 前端电路设计与仿真 3 \o Current Document 第一节双反相器的前端设计流程 3 \o Current Document 1、画双反相器的 visio 原理图 3 \o Current Document 2、编写 .sp 文件 3 \o Current Document 第二节后端电路设计 5 \o Current Document 一、开启 linux 系统 6 2、然后桌面右键重新打开 Terminal 9 \o Current Document 双反相器的后端设计流程 10 \o Current Document 一、 schematic 电路图绘制 10 \o Current Document 二、版图设计 33 \o Current Document 画版图一些技巧： 49 \o Current Document 三、后端验证和提取 50 \o Current Document 第三节后端仿真 59 其它知识 62 前端电路设计与仿真 第一节双反相器的前端设计流程 1、画双反相器的visio原理图 VDD VDd VDD VDd out 图1.1 其中双反相器的输入为in输出为out, fa为内部节点。电源电压Vdd=1.8V,M0S 管用的是TSMC的1.8V典型MOS管（在Hspice里面的名称为pch和nch,在 Cade nee里面的名称为pmos2v和nm os2v）。 2、编写.sp文件 新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件 具体实例.sp文件内容如下： dMlD W；!HI Itu? ?^HMI h： Im讥” IB峯俏尊请 -II Lb F : vrn^Fdn I J J pu\-hgjnupta^taXrl IIII. L* I I .-5Ubckt tlmMrw Ln out *嗣 qn hq fj In ^44 u^d puh I 1*91 Hl fri :ln ynt gnri rich 1-lllki ^770n AD1.VHhP 13 .VRiF 13i FD-I .Hlr TH PX-I.IIf Hd nrrl??.■Ml1 用 nr^-l. ^HtlR rt2 out fa VW udd pLh I - 1d tn Wd-祐历-恃 朋?3.聒打-個 FD-a.M-M PS-2.iit-iK nnd-?.3K m5-?.37￡ m out F qnd nch 1-19Bn w-EEa? P?1,B恤-酶 P2?1.t*e-M nrd-1 .MWW nrs^t.ii^M h?w4s 臥下呈加斛测ft号* n in ? p?l-se(i 1：B 1m ms *ns Mas-佃时 ■3 vdd ■ 1 .*? n gnrl ■ lilv tl duK ■ If “?—■4下壬加鬧匾情旬? aoptlQn P?3-t ntrjn .11ns. -MdWUFP CrM AUgpDM^r Ing p^NlJ frM-Ed--I4*f -Hfjsuir brM qrlsr TRIO vein) UftL-l.f ■?Ihs rise-1 ■ TRRn uLt) UHL-I.* rjK-1 -■WMV tr Mi ￡|f ^11 THIC UC1?) UhL-fl.f ll-lns TARO 冥mH UftL-i.* IKkis fall-1 -■nil 」ib F:\Program Files\synopsys\f018.l TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置 和选择的具体工艺角*****这里选择TT工艺角*********** 划红线部分的数据请参考excel文件《尺寸对应6参数》，MOS管的W不同 对应的6个尺寸是不同的， 但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。 划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致 MOS场效应晶体管描述语句：（与后端提取pex输出的网表格式相同） MMX D G S B MNAME L=val W= val AD= val AS= val PD= val PS= val NRD= val NRS= val 2.1、在wind owXP开始--程序这里打开 Hspice程序 2.2、弹出以下画面然后进行仿真 1、打开.sp文件2 1、打开.sp 文件 2、按下仿真