厦门大学电子技术实验报告实验五.docx

“2 XIAMEN UNIVERSITY 电子技术实验报告 实验名称 :实验五场效应管放大器 系 别 ? ? 班号： 实验组别： 实验者姓名 ? ? 学号： 实验 日期 ? ? 实验报告完成日期 ? ? 指导教师意见 ? ? 一、实验原理 1、场效应管的主要特点 场效应管是一种电压控制器件，由于它的输入阻抗极高（一般可达上百兆、 甚至几千兆），动态范围大，热稳定性好，抗辐射能力强，制造工艺简单，便于 大规模集成。因此，场效应管的使用越来越广泛。 场效应管按结构可分为 MOS型和结型，按沟道分为 N沟道和P沟道器 件，按零栅压源、 漏通断状态分为增强型和耗尽型器件，可根据需要选用。那 么，场效应管由于结构上的特点 源漏极可以互换，为了防止栅极感应电压击穿， 要求一切测试仪器，都要有良好接地。 2、场效应管的特性 （1） 转移特性（控制特性）反映了管子工作在饱和区时栅极电压 VGS对漏极 电流ID的控制 作用。当满足|VDS||VGS|-|VP|时，ID对于VGS的关系曲线 即为转移特性曲线。如图1所示。由 图可知，当VGS =0时的漏极电流即为 漏极饱和和电流IDSS，也称为零栅漏电流，使ID =0时 所对应的栅源电压， 称为夹断电压VGS=VP。 （2） 转移特性可用如下近似公式表示： Vr e Id = bss（1-—）〉（3 0VGS^?） VP 口“ 5 嗨：砂 心珠 （3）输出特性（漏极特性）反映了漏源电压 VDS对漏极电流ID的控制作用 EL 常数 动态电阻表示为： 图1 图1 N沟道场效应管转慈特性 ffl 2 N沟週场效应管输出特性 图示仪测试场效应管特性曲线的方法: 1、连接方法：将场效应管 G、D、S分别插入图示仪测试台的B、C、E 2、输出特性测试 3、转移特性测试 场效应管主要参数测试电路设计: 1、 根据转移特性可知：当 VGS=O时，ID=IDSS，其测试电路如图3 2、 根据转移特性可知：当ID=O时，VGS=VGS(TH)，其测试电路如图4 3?自给偏置场效应管放大器: 自给偏置N沟道场效应管共源基本放大器如图所示，该电路与普通双极性 晶体管放大器的偏置不同，它利用漏极电流在原极电阻上的电压降产生栅极偏压, 即：VGSQ= — IDRS 由于N沟道场效应管工作在负压，故称为自给偏置，同时RS具有稳定工作 点的作用。该电路主要参数为： 电压放大倍数：*f =叮％ =-备氏； 式中：R；=心显|际 输入电阻： 输出电阻：Ro=RD||rDS 4?恒流源负载的场效应管放大器 由于场效应管的gm较小，与双极性晶体管先比，场效应管放大器的电压放 大倍数较小。提高放大倍数的一种方法是：采用恒流源负载。它利用场效应管工 作在饱和区，静态电阻小，动态电阻较大的特性，在不提高电源电压的情况下获 得较大的放大倍数。 5.场效应管参数测试方法 静态工作点调试：同单级放大器调试方法 电压放大倍数测量：同单级放大器测试方法 放大器频率特性测量：同单机放大器调试方法 输入阻抗测量: 放大器输入阻抗为从输入端向放大器看进去的等效电阻，即： Ri=Vi/li该电 阻为动态电阻，不能用万用表测量。输入阻抗 Ri测量装置图如图所示。 测量图中，R为测量Ri所串接在输入回路中的一直电阻，其目的是避免测量输 入电路中的电流，而改由测量电压进行换算，即: 上述测量方法仅适用于放大器阻抗远小于测量仪器输入阻抗条件下。 然而场 效应管放大器输入阻抗非常大，毫伏表测量将产生较大的误差，同时将引入干扰。 故不能用毫伏表测量Vi。同时，由于放大器输出阻抗较小。毫伏表可以直接测 量。因而采用测量输出电压换算求 Ri。 当电路中不串R时，Vi1=Vs，输出测量值为： 当电路串入R时， ?，输出测量值为： 由于同一放大电路，其放大倍数相同，令上述两式相除并进行整理可得: 输出阻抗测量: 在输出回路不串接R情况下: 若输出回路不并接负载RL,贝U输出测量值为VOg：、 若输出回路并接负载RL,则输出电阻测量值为：VOL;则可按下式求RO 在上述阻抗、输出阻抗测量时，应保证输出波形不失真。 二、实验步骤及数据 1、电路搭接 根据实验原理中的设计参数，在多孔实验板上搭接实验电路，检查电路连接无误 后，方 可将+12V直流电源接入电路。其中Rs采用实验箱上的1K Q电位器。 2、静态工作点的调试测量 根据设计理论值，通过调整电位器 Rs，使静态工作点 VDQ=6V，测量其余 值并填入下表 测量 计算 静态工作点 Vdq(V) Vgq(V) Vsq(V) lDQ(mA) Vds(V) Vgs(V) 实际测量值 6.000 -0.047mV 0.5287 0.88 5.4813 -0.5291 理论设计值 6 0 0.5 0.88 5.5 -0.5  3、