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第三章 门电路 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 MOS门电路:以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS门电路,尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点,得到了十分迅速的发展。 Complementary Metal Oxide Semiconductor FET CMOS P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 特点:输入电阻可达 1010 ? 以上。 MOS管类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 3.3 CMOS门电路 S G D B MOS管有NMOS管和PMOS管两种。当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中,且二者在工作中互补,称为CMOS管(意为互补Complementary-Symmetry)。MOS管有增强型和耗尽型两种。在数字电路中,多采用增强型。 3、MOS管的基本开关电路 截止 导通 (1)MOS管的开关特性 VGS< VGS(th) → RDS ?106 (?) → iD ? 10-6 (A) ? 0 VGS VGS(th) → RDS ? 10 (?) RL →VRDS? 0 3.3 CMOS门电路 N沟道增强型MOS管 A VDD Z B Q1 Q2 Q3 Q4 A B Z 3.3 CMOS门电路 两个PMOS并联 两个NMOS串联 电路输入与输出为逻辑非的关系 也称反相器 与非门 传输门 外部特性,可以双向传输信号, 控制端C=0,C’=1时,输入输出断开 控制端C=1,C’=0时,输入输出导通 3.3 CMOS门电路 CMOS三态门 3.3 CMOS门电路 三态门的输出除了高低电平外,还有第三个状态:高阻态。 三态门的用途 同一导线分时传递若干门电路的输出信号 实现数据双向传输 3.3 CMOS门电路 3.4 TTL门电路 TTL: Transistor-Transistor Logic 在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在饱和和截止两种开关状态,放大区只是极短暂的过渡状态。 3.4.1 双极性三极管的开关特性(静态) 一个独立的双极型三极管由管芯、三个引出电极和外壳组成,三个电极分别是:基极(base),集电极(collector)和发射极(emitter)。 输出特性曲线 输入特性曲线 UON uBE iB O 工作区 状态 饱和 ec都正偏UBEUON,UCEUBE 放大 e正偏UBEUON,c反偏UCEUBE 截止 UBEUON,c反偏UCEUBE 只要合理选择电路参数,保证 当vI为低电平vIL时,vBE<vON(开启电压),三极管工作在截止状态; vI为高电平vIH时,iBiBS(饱和基极电流),三极管工作在深度饱和状态; 则三极管的c-e间就相当于一个受vI控制的开关; 三极管截止时,相当于开关断开,输出高电平; 三极管饱和导通时,相当于开关接通,输出低电平。 3.4 TTL门电路 A Y Y=A’ 74 FAM nn 前缀 系列助记符 功能数字 最早的商用 CMOS集成电路为 4000系列(现基本不用),现以下列方法命名: 前缀:74—商用系列;54—军用系列。 助记符:以字母表示系列类型。 功能数字:以数字表示电路的逻辑功能。 3.5 门电路命名 例:74HC04-商用高速CMOS 六反相器; 74HCT00-与TTL兼容的商用高速CMOS 四-二输入与非门。 TTL集成电路多余或暂时不用的输入端的处理 (1)多余或暂时不用的输入端的一般不悬空,但可以悬空;悬空时相当于接高电平。 (2)与其它输入端并联使用。 (3)将不用的输入端按照电路功能要求接电源或接地。一般,接电源时需接上拉电阻;接地时需接下拉电阻。典型值1-10k。 3.6 多余端处理 COMS多余或暂时不用的输入端的处理 (1)多余或暂时不用的输入端不能悬空; (2)与其它输入端并联使用。 * *
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