33托卡马克加热NBI.docxVIP

5.3 中性束注入(NBI, Neutral Beam Input )加热 为什么不直接利用咼能离子束？ 磁场可以约束离子，使之不能逃出托卡马克，同理外部高能离子束 也被磁场约束，不易于进入托卡马克内部。 所以，需要在离子进入托卡马克前，将离子束中性化——中性束。 产生中性束的工作原理图（JET，正离子源） 产生中性束系统示意图、实物照片（JET） NeLrtraliseir gas pipehmBS 中性束系统示意图 托 卡 马 克 侧 实物照片 （下图：用于JET的正离子源，采用 热阴极+磁约束） CHECKERBOARD CUSPSLINFAR CUSPSCHFCK^BOARD CUSPSGHCCKEngOARD CUSPSLINEAR CUSPSWIRE、CATHODES CHECKERBOARD CUSPS LINFAR CUSPS CHFCK^BOARD CUSPS GHCCKEngOARD CUSPS LINEAR CUSPS WIRE 、CATHODES ADDITIONAL FILTER FIELD DiJE TO LINEAR CUSP MAGNETS LIME AH CUSPS （下图：用于ASDEX-U的正离子源的内部结构，采用RF感性耦合，图中 澡盆状部件为法拉第屏蔽，铁箍状部件为射频线圈） 中性束加热中的一些问题 （1） 中性束原子的选用 在开始放电的初始建立阶段，等离子体温度不高，不能产生核反应，可以用 H原子中性束加热。 在点火、燃烧阶段，可以采用D中性束。 （2） 中性束注入位置、方向 中性束注入位置： 在托卡马克的赤道面注入，通过最长，密度最大的区域 注入方向：平行于环向，垂直于环向。 垂直注入 优点：窗口设计简单； 缺点：加热后离子的垂直磁场能量大，容易进 入香蕉（俘获）轨道。 在纹波度大的环向磁场中，俘获快离 子引起纹波扩散，碰撞溅射托卡马克壁， 造成杂质污染。 平行注入： 缺点：窗口设计较复杂占用空间大； 优点：电离距离长，产生穿行离子。 注入方向可以平行、反平行托卡马克电流方向 NB具有动量，单向平行注入会产生等离子体沿 大环方向旋转，可以 米用对称双向注入。 实验发现等离子体环向旋转可以触发 L-H约束模式转变（有益！），所 以一般采用单向平行注入。 （3）中性束与托卡马克plasma的作用过程：电离、高能离子慢化 中性束的电离有几个过程：与电子、离子碰撞电离，电荷交换 在低能区： 电荷交换占主导（A+（高能）+ B A （高能）+ B+），中性粒子能量转化为 带电粒子能量； 在高能区： 高能中性原子与电子的碰撞电离（在高能区主要为多级电离）占主导 当中性粒子被电离后，咼能离子被约束在香蕉、通行轨道上 如果高能离子的约束时间长，将通过与其他粒子碰撞传递能量，自身速度 降低（碰撞慢化，slow down。 （4） 托卡马克的芯部加热 中性加热要求其能量沉积在托卡马克芯部，对于大托卡马克（如 ITER ），要求 中性束到达芯部，需要提高中性束能量 相应要求提高离子源D离子能量，在ITER 上，要求离子能量达到 0.25-0.5Mev。 （5） 增加D离子能量出现的问题 在需要高于0.1Mev的中性束（相应地，离子能量需要高于 0.1Mev）时，如果 仍然采用正离子中性化方法，中性化效率下降（参见下图）。 （上图：离子中性化率随离子能量（Kev （上图：离子中性化率随离子能量（Kev）的变化） 【器】◎匚.2UEOIC:口匚尬血二 Ein 也Z 说明1:正离子源中有多种离子成分，原子离子、分子离子 说明2：正离子的中性化率不是100%，而且中性化率 不随中性化室长度增加而 单 调提高，有最佳长度，和最大中性化率。 解决方法： 采用负离子+中性化方法。 负离子的产生方法/途径（两种，结合下面两图说明）: 【负离子有两种产生方式】: Permanent ma§nei licrpasma coriinement (1)在体相产生负离子：在 相对高的高能电子作用下，产 生咼振动能态的分子，咼振动 能态的分子在分解时俘获低 能 电 子 (dissociative attachment)) H2 e( fast) H2(v ) e H2(v ) e([]l.0eV) H - i Extraction grid Flament Magnetic fitter prfferdm ol pnmary eiKtnn io reach exiraciion regon znPlasma grid Hod filter Small magn 彌 imssited n metal H- beam Driver region Ifi伽说觀烧 Extraction region 血嗣 Dfljsedpissma