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行业深度研究
内容目录
一、第三代半导体优势渐显,应用多点开花 4
1.1 性能优异,第三代半导体应运而生 4
1.2 碳化硅可降低能耗,缩小器件体积 5
1.3 碳化硅6 英寸将成为主流,成本有望大幅下降 8
二、多领域需求驱动,碳化硅高速成长 8
2.1 碳化硅市场成长动力主要来自新能源汽车、光伏等 8
2.2 预测2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿 美元 9
2.3 预测2025 年光伏发电逆变器SiC 渗透率50% 10
2.4 预测2030 年轨道交通SiC 渗透率30% 10
三、碳化硅在电动汽车领域有望大显身手 11
3.1 Model 3 率先采用SiC MOSFET ,开启了电动汽车使用SiC 先河 12
3.2 电动汽车快速发展,碳化硅迎来发展良机 14
四、碳化硅市场被国际巨头占领,国内企业大力布局,奋起直追 16
4.1 美国CREE 一家独大,欧、美、日系企业优势明显 16
4.2 中国大力布局碳化硅,产业链逐步完善 18
五、看好行业细分龙头 19
5.1 投资建议 20
5.2 风险提示 20
图表目录
图表 1 :SiC 和GaN 适用范围4
图表2 :SiC MOSFET 应用范围5
图表3 :SiC MOSFET 与Si IGBT 对比 5
图表4 :碳化硅功率器件主要应用领域5
图表5 :SiC 和IGBT 导通损耗优势对比6
图表6 :IGBT 模块的FRD 具有较大的反向恢复电流6
图表7 :HPDrive 封装a)750V IGBT 模块 b)1200VCoolSiCTM 6
图表8 :1200VCoo
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