贴片光电耦合器简介及应用.docxVIP

光电耦合器 (以下简称光耦 )是一种发光器件和光敏器件组成的光电器件。 它能实现电 —光 — 电信号的变换， 并且输入信号与输出信号是隔离的。 目前极大多数的光耦输入部分采用砷化 镓红外发光二极管， 输出部分采用硅光电二极管、 硅光电 三极管 及光触发可控硅。 这是因为 峰值波长 900～ 940nm 的砷化镓红外发光 二极管 能与硅光电器件的响应峰值波长相吻合， 可 获得较高的信号传输效率。 光耦的结构 光耦的内部结构  (剖面 )如图  1 所示。光耦输入部分大都是红外发光  二极管 ，输出部分有 不同的光敏器件，如图  2 所示。 这里要说明的是， 图 2(c)的输入部分有两个背对背的红外发光 二极管 ，它用于交流输入的场合；图 2(d) 采用达林顿输出结构，它可使输出获得较大的电流；图 2(e)、 2(f) 的输出由光触发双向可控硅组成，它们主要用来驱动交流负载。图 2(e)与图 2(f) 的差别是图 2(f) 有过 零触发控制 (图中的 “ZC”即 “过零 ”的意思 )，而图 2(e)没有过零触发控制电路。 基本电路 光耦的基本电路如图 3 所示。图 3(a)的负载电阻  RL  接在发射极及地之间，图  3(b)的负 载电阻 RL 接在电源 Vdd 与集电极之间。 在图 3(a)中，输入端加上 Vcc 电压，经限流电阻 Rin 后，有一定的电流 IF 流经红外发光二极管， IF 与 Vcc 、发光 二极管 的正向压降 VF 及 Rin 的关系为： IF=(Vcc-VF)/Rin 。式中 的 VF 取 1.3V 。 IF 的最大值由资料给出 (一般工作时 IF ≤10mA)。 发光 二极管 发光后，光电三极管导通，集电极电流 Ic 由 Vdd 经光电三极管流过 RL 到 地，使输出电压 Vout=Ic ×RL( 或 Vout=Vdd-VCE ，VCE 为光电 三极管 的管压降 ) 。 图 3(b)的工作原理与图 3(a)相同，不再重复。图 3 中输入、输出也可用各自的地。 从图 3(a)可以看出；输入端不加 Vcc 电压，输出端 Vout=0V ，输入端加了 Vcc 电压， 负载得电，这个功能相当于 “继电器 ”。如果在输入端加幅值为 5V 的脉冲 (如图 4 所示 )，输 出端 Vdd=12V ，RL=10kΩ ，则输出的脉冲幅值接近 12V，从这功一能来看， 相当于 “变压器 ”； 若输入电压从 0 跃变到 +5V ，输出则从 0 跃变到接近 12V ，它又可用作电平转换。 特点及应用范围 光耦的主要特点：输入与输出之间绝缘 (绝缘电压可达数千伏 )；信号传输为单方向，输 出信号不会对输入信号有影响； 能传输模拟信号也可传输数字信号； 抗干扰能力强； 体积小、 寿命长；由于无触头，因此抗振性强。近年来由于生产工艺改进， SMT 的发展，开发出性 能更好、尺寸更小的贴片式光耦，它由 DIP6 管脚封装改进成 4 管脚封装，不仅改小尺寸， 并且减小了干扰，如图 5 所示， 但有一些公司其管脚仍按 6 管脚排列， 如图 2 所示。顶面有 圆圈者为第 1 管脚，如图 6 所示。 由于该类器件有上述特点， 它主要应用于隔离电路、 开关电路、逻辑电路、信号长线传输、线性放大电路、隔离反馈电路、控制电路及电平转换电路等。 光耦主要参数 本文介绍 NEC 公司及 TOSHIBA 公司生产的一些常用的贴片式光耦及其主要参数。主要参数如表 1 及表 2 所示。 这里要说明一下电流传输比 (CTR) 这个参数的意义。 CTR 是 Current Transfer Ratio 的 缩写。它是在一定工作条件下 (IF 及 VCE) ，光耦的输出电流 Ic 与输入电流 IF 的比值，一般 用百分比表示，其值低的从几到几十，高的从几十到几百，达林顿输出型可达上千。 CTR 大，则在同样的 IF 下，输出电流 Ic 大，驱动负载的能力也强 (或者说 IF 较小可获得大的 Ic) 。 这里顺便指出，当用光电耦合器作交流信号传输时，必须考虑它的频率特性。采用 Ga As 发光 二极管 及硅光电 三极管 的光耦，其最高工作频率约为 500kHz ；其响应时间小于 10μ s。 在使用时要注意的红外发光二极管的反压 VR 一般是很低的，有的使用时输入端不能接反，防止红外发光二极管因反压过高而击穿 (可在向二极管 来保护，如图 4 所示 )。  VR 仅 3V 。因此在 1 脚、 3 脚接一个反 光耦的简易测量方法 光电 三极管 输出的光耦是应用最广泛的， 若顶面印刷字迹或圆点看不清楚， 可采用指针 式三用表来测量，确认哪个管脚是 1 脚，并且也可简易测出光耦的好坏。 由于它是一个二极管及一个 三极管 c、 e 极组