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中国光in胶行业发展技术特点分析 中国光刻胶行业发展技术特点分析 导读：屮国光刻胶行业发展技术特点分析。1954年EasMt anKodak公司 合成了人类第…种感光聚合物——聚乙烯醇肉桂酸酯，开创了聚乙烯醇肉桂酸 酯及其衍生物类光刻胶体系，这是人类最先应用在电子工业JL的光刻胶。 【报告来源】观研网 ?【提 供】行业分析产业调查投资分析前景评估预测报告 ?【出版日期】2014 ?【交付方式】Email电子版/特快专递 ?【价 格】纸介版：7200元电子版：7200 )t纸介+电子：7500元 ?【联系电话】400?007?6266 （免长话费）010?【官方网址】 HYPERLINK // httD：//\vww?Drorcsearch?org/reDort/huagong/201312/84416.html 参考《屮国光刻胶行业市场调研及投资动向分析报告(2014-2018)》 光刻胶按曝光波长不同可分为紫外(300 -450nm )光刻胶、深紫外 ( 160- 280 nm 刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。根 据曝光前后光刻胶膜溶解性质的变化乂可分为止型光刻胶和负型光刻胶，曝光 后溶解度増人的为正型光刻胶，溶解度减小的为负型光刻胶。随着曝光波长变化, 光刻胶屮的关键组分，如成膜树脂、感光剂、添加剂也随Z发生相应的变化，光 刻胶的综合性能也不断提高。集成屯路制作小使用的主要光刻胶见下表。 紫外光刻胶 紫外负型光刻胶 1954年EasMt anKodak公司合成了人类第-?种感光聚合物——聚乙烯 醇肉桂酸酯，开创了聚乙烯醇肉桂酸酯及其衍生物类光刻胶体系，这是人类最先 应用在电子工业上的光刻胶。该类光刻胶无暗反应，存储期长，感光灵敏度高， 分辨率好，但在硅片丄的粘附性差，影响了它在电子工业的广泛应用。1958年 Kodak公司又开发岀了环化橡胶双叠氮系光刻胶。因为该胶在硅片上具有良好的 粘附性，同时具有感光速度快、抗湿法刻蚀能力强等优点，在20 tit纪80年代初 成为电子工业的主要用胶，占当时总消费量的90% o但由于其用有机溶剂显影， 显影时胶膜会溶胀，从血限制了负胶的分辨率，因此主要用于分立器件和5p m、2 ~3pm集成电路的制作。在紫外负型光刻胶的生产方面，由于其生产技术已经 十分成熟，再加上其用量比较大，国外厂家负胶的生产规模一?般均超过百吨以 上。随着微屯子工业加工线宽的缩小，该系列负胶在集成电路制作屮的应用逐渐 减少。 紫外正型光刻胶 1950年左右开发出的酚醛树脂■重氮蔡醍正型光刻胶用稀碱水显影，显 影时不存在胶膜溶胀问题，因此分辨率较高，且抗干法蚀刻性较强，故能满足大 规模集成电路及超大规模集成电路的制作。紫外正型光刻胶根据所用的曝光机不 同，又可分为宽谱紫外正胶、G线正胶、丨线正胶。三者虽然都是用线型酚醛树 脂做成膜树脂，重氮棊醍型酯化物作感光剂，但在酚醛树脂及感光剂的微观结构 上稍有变化，因此三者性能，尤其是分辨率不一?样，应用场合也不同。宽谱紫外 正胶适用于2~3pm、0.8-1.2pm集成电路的制作。G线紫外正胶采用g线曝 光，适用0.5~0.6|jm集成电路的制作。丨线紫外正胶采用i线曝光，适用0.35- 0.5pm集成电路的制作。紫外正胶还用于液晶平面显示器等较大面积的电子产 品制作。 i线光刻技术自20世纪80年代屮期进入开发期,90年代初进入成熟期, 90年代屮期进入昌盛期并取代了 G线光刻胶的统治地位，丨线光刻技术H前仍是 最为广泛应用的光刻技术。i线光刻胶最初分辨率只能达到0.5pm,随着i线光 刻机的改进，丨线正胶亦能制作线宽为025m的集成电路，延长了 i线光刻技术的 使用寿命。在一个典型的器件屮，有1/3的图层是真正的关键层，1/3的图层是 次关键层，其余1/3是非关键层。有一?种混合匹配的光刻方法，把光刻胶和设备 技术同硅片层的临界状态相匹配。例如：对于0.22|j m DRAM的器件，用i线步 进光刻机能够形成器件上总共20层小的13层次关键层的图形，剩下的7层用前 沿的深紫外步进扫描机成像。在这项研究屮，i线产品的成本平均是每层5美元, 深紫外层则是7.50美元，从而大大降低器件的制作成本。所以i线光刻胶将在较 长一段吋间内持续占据一定数量的市场份额。 深紫外光刻胶 深紫外光由于波长短，衍射作用小，因而具有高分辨率的特点。随着K rF( 248nm) ArF(193nm) F2(157nm)等稀有气体卤化物准分子激发态激光光 源技术的发展，使深紫外光刻工艺成为现实。与紫外光刻胶不同的是，深紫外光 刻胶均为化学增幅型光刻胶。化学增幅型光刻胶的特点是：在光刻胶屮加入光致 产酸剂，在光辐射下，产酸剂分解出酸，在屮烘吋，酸作为催化剂，催化成膜