二维层状纳米材料MoS2、Bi2S3的制备及其光电性能的研究.pdfVIP

摘要 摘要 二维层状纳米材料，例如石墨烯、二维层状硫族化合物等在电子器件、光子器件、 光催化、光电传感、太阳能电池等领域都展现了优良的性能。作为二维层状硫族化合 物中两个典型材料，MoS 和 Bi S 的带隙在可见和红外之间，对太阳光响应灵敏，因 2 2 3 而在光电器件、光电化学等方面具有潜在的应用价值。本论文围绕 MoS 和 Bi S 的 2 2 3 制备和光电性能，主要从以下四个方面进行了研究： （1）总结了二维层状纳米材料的发展历史、制备方法、光电性能。从零带隙的 石墨烯引入可调带隙的二维层状硫族化合物，进而引出本文着重研究的 MoS 和 Bi S 2 2 3 这两种层状材料，并对它们的结构、光电性能研究的进展做了介绍。 （2 ）液相剥离法制备了 MoS2 的二维纳米薄片。透射电子显微镜、原子力显微 镜测试证明通过合理选择液相剥离的溶液，可以得到片层在 2-4 层范围的二维 MoS2 纳米薄片。扫描电子显微镜和拉曼光谱的表征说明基于抽滤—转移的方法制备的 MoS2 薄膜样品具有很好的片层堆叠形貌和质量，为基于 MoS2 光电极的应用打下基 础。 （3 ）基于混合热焓理论，对Bi S 进行了高效的液相剥离。我们发现体积分数为 2 3 90 %的异丙醇（IPA ）和 10 %的去离子水为有效剥离层状Bi S 的最佳混合溶剂，这 2 3 一结论和吸收光谱的实验结果相一致。透射电子显微镜、原子力显微镜测试表明制备 的Bi S 纳米薄片为 1-3 层的二维纳米材料。在可见光的激发下，Bi S 薄膜展现了敏 2 3 2 3 感的光电响应，响应时间在毫秒尺度。这与我们第一性原理计算得到的 Bi S 单层结 2 3 构和块体结构的电子能态密度（DOS ）及分波能态密度（PDOS ）相一致，也从微观 角度说明了在可见光波段，Bi S 具有较强的光与物质的相互作用，本工作证明了Bi S 2 3 2 3 在光电检测以及太阳能转换领域有着潜在的应用，为光电器件的打下了基础。 （4 ）气相沉积法可以制备高质量的MoS ，但是相关的化学机理比较复杂。我们 2 选择了具有蒸发温度高更利于原位生长的 Mo 源 MoO 。首先，我们制备出了表面平 2 整、结晶性高、边长最大可达到两百多微米、厚度在 20-100 nm 的长斜方晶系的MoO2 晶体。其次，我们提出了一个歧化反应和物理气相沉积（PVD ）过程共存的机理来解 释了 MoO2 沉积过程。最后，经过硫化过程，在 MoO2 表面制备了均匀的 MoS2 薄膜。 高结晶、低蒸发率、导电的 MoO 也为 MoX （X= Se 、Te ）以及MoO /MoX （