城市轨道交通电工电子技术课件 单元6 常用半导体器件.pptVIP

6.3.4三极管的主要参数 6.3.4.3极限参数 （2）集电极最大允许功耗PCM。 功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、三极管是否有散热器等条件相关。根据式（6-3）可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图6-23所示。功耗线在左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。 手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则三极管将损坏。 6.3 三 极 管 图6-23 三极管极限参数 6.3.4三极管的主要参数 6.3.4.3极限参数 （3）反向击穿电压UBR（CES）。 反向击穿电压UBR（CES）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压UCE＞UBR（CES），集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。三极管击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源UCC的值选得过大时，有可能会出现；当三极管截止时，UCE＞UBR（CES），出现三极管被击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压UCC应小于1/2 UBR。 6.3 三 极 管 6.3.4三极管的主要参数 6.3.4.4温度对三极管参数的影响 几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列三个参数的影响最大。 （1）温度对β的影响。 三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升1℃，β值增大0.5%～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。 （2）温度对反向饱和电流ICES的影响。 ICES是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICES随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICES将增加一倍。由于硅管的ICES很小，所以，温度对硅管ICES的影响不大。 6.3 三 极 管 6.3.4三极管的主要参数 6.3.4.4温度对三极管参数的影响 （3）温度对发射结电压uBE的影响。 和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，uBE将下降2～2.5mV。 综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。 6.3 三 极 管 * 6.2.2二极管的伏安特性及其检测 6.2.2.2反向特性 反向特性位于图中第三象限。二极管加上反向电压时，形成很小的反向电流，且在一定温度下它的数量基本维持不变。因此，当反向电压在一定范围内增大时，反向电流的大小基本恒定，而与反向电压大小无关，故称为反向饱和电流。一般小功率锗管的反向电流可达几十微安（μA），而小功率硅管的反向电流要小得多，一般在0.1μA以下。当温度升高时，少数载流子数目增加，使反向电流增大，特性曲线下移。研究表明，温度每升高10℃，反向电流近似增大一倍。 当二极管的外加反向电压大于一定数值（反向击穿电压）时，反向电流突然急剧增加称为二极管反向击穿。反向击穿电压一般在几十伏以上。 6.2二极管 6.2.2二极管的伏安特性及其检测 6.2.2.3二极管的管脚识别和检测 （1）检测时，万用表置于“R×1K”挡，两表笔分别接到二极管的两端，如果测得的电阻值较小，则为二极管的正向电阻，这时与黑表笔（即表内电池正极）相连接的是二极管正极，与红表笔（即表内电池负极）相连接的是二极管负极；如果测得的电阻值很大，则为二极管的反向电阻，这时与黑表笔相接的是二极管负极，与红表笔相接的是二极管正极。 （2）正常的二极管，其正、反向电阻的阻值应该相差很大，且反向电阻接近于无穷大。如果某二极管正、反向电阻值均为无穷大，说明该二极管内部断路损坏；如果正、反向电阻值均为0，说明该二极管已被击穿短路；如果正、反向电阻值相差不大，说明该二极管质量太差，也不宜使用。 6.2二极管 6.2.2二极管的伏安特性及其检测 6.2.2.3二极管的管脚识别和检测 （3）由于锗二极管和硅二极管的正向管压降不同，因此可以用测量二极管正向电阻的方法来区分锗二极管和硅二极管。如果正向电阻小于1kΩ，则为锗二极管；如果正向电阻为1～5kΩ，则为硅二极管。 6.2二极管 6.2.3二极管的主要参数 二极管的特性除用伏安特性曲线表示外，参数同样能反映二极管的电性能，器件的参数是正确选择和使用器件的依据。各种器件的参数由厂家产品手册给出，由于制造工艺方面的原因，即使同一型号的管子，参数也存在一定的分散性，因此手册常给