近代物理第4章.pptVIP

2021/2/21 * ▲导电机制:杂质中多余电子经激发后跃 迁到空带(或导带)而形成的。 ▲在n型半导体中, 电子—多数载流子 空穴—少数载流子 ▲因掺杂(即使很少),会使空带中自由电子的浓度比同温下纯净半导体空带中的自由电子的浓度大很多倍,从而大大增强了半导体的导电性能。 2021/2/21 * 2、p型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等掺入少量三价的杂质元素（如B、Ga、In等）形成空穴型半导体,也称p型半导体。 P型半导体 B Si Si Si Si Si Si Si ΔEA ΔEg 空 带 满 带 受主能级 2021/2/21 * ▲在P型半导体中 空穴 ─ 多数载流子 电子 ─ 少数载流子 受主（acceptor)能级：这种杂质的能级紧靠满带顶处，图中 eV,满带中的电子极易跃入此杂质能级，使满带中产生空穴。 ▲导电机制:主要是由满带中空穴的运动 形成的。 ▲这种掺杂使满带中的空穴的浓度较纯净半导体的空穴的浓度增加了很多倍,从而使半导体的导电性能增强。 2021/2/21 * 三、半导体的特性及应用 1.电阻率和温度的关系 半导体的电阻率随温度的升高而迅速下降 应用:热敏电阻. 体积小,热惯性小,寿命长, 广泛应用于自动控制技术。 2021/2/21 * 半导体硒,在照射光的频率大于其红限频率时,它的电阻值有随光强的增加而急剧减小的现象。 应用: 光敏电阻(photosensitiveresistanceresistance) 自动控制、遥感等技术中的一个重要元件。 2.半导体的光电导现象 2021/2/21 * (1)p-n结的形成 P-N 结 n型 p型 3、p‐n结 n区电子向p区扩散, p区空穴向n区扩散, 在交界面处形成正负电荷的积累，交界处形成电偶层，此即p‐n结，厚度约 m。 2021/2/21 * ▲稳定后,n区相对p区有电势差U0 (n比p高）。p‐n 结也称势垒区。 P-N 结 n型 p型 ▲ p‐n结处存在由n区?p区的电场(称为内建场)。此电场将遏止电子和空穴的继续扩散,最后达动平衡状态。 2021/2/21 * U0 电子能级 电势曲线xxian 线 电子电势能曲线 P-N结 2021/2/21 * 能带的弯曲对n区的电子和p区的空穴都形成一个势垒,阻碍n区电子和p区空穴进入对方区域. 这一势垒区也称阻挡层(deplectionzone）。 空带 空带 P-N结 施主能级 受主能级 满带 满带 p‐n结的形成使其附近能带的形状发生了变化。 2021/2/21 * 由于p‐n结处阻挡层的存在,把电压加到p-n结两端时,阻挡层处的电势差将发生变化. ◆ 正向偏压 p型 n型 I E阻 E外 V (伏) ３０ ２０ １０ (毫安) 正向 0 0.2 1.0 P—N结的伏安特性(锗管) (2?) p‐n结的单向导电性 2021/2/21 * ◆ 反向偏压 由上可知,p‐n结可以作成具有整流、开关等作用的晶体二极管(diode)。 p型 n型 I E阻 E外 击穿电压 V(伏) I -１０ -２０ -３０ (微安) 反向 -20 -30 Ｐ—Ｎ结的反向击穿 2021/2/21 * 4.光生伏特效应 光生电动势的大小正比于光辐射的强度。 应用:光电池。 2021/2/21 * ◆把两种不同材料的半导体组成一个回路,并使两个接头具有不同的温度,会产生较大的温差电动势。温度每差一度,温差电动势能达到、甚至超过1毫伏。 ◆利用半导体温差热电偶可以制成温度计,或小型发电机。 5.温差热电偶 2021/2/21 * 6.集成电路 p‐n结的适当组合可以作成具有放大功能的晶体三极管(trasistor),以及各种晶体管。进一步可将它们作集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路。 ?7.半导体激光器(在第二章激光中已讲) 8.半导体场致发光材料(略) 等等 2021/2/21 * 一.超导电现象 温度降到