光伏电池设备行业深度报告.docx

? ? ? ? ? ? ? 光伏电池设备行业深度报告 持续增长的黄金赛道 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?  核心观点 HIT是面向未来的平台型技术 降本增效是光伏产业永恒的旋律。当前时点，光伏产品材料成本下降难度增大，未来光伏相较于其他能源性价比要持续提升，关键在于增效。24%是Perc效率提升天 花板，HIT提效潜力远高于Perc，目前各厂商生产效率普遍在24%以上。HIT叠加钙钛矿是多结时代的入门技术，HIT是承上启下的平台型技术。 何时有性价比：已具有性价比，HIT建设正当时 我们测算当前HIT单W成本较Perc高0.25元/W，但合理溢价高0.35元/W，当前投建HIT产能极具性价比。未来两年HIT技术通过设备折旧降低、硅片减薄、银耗下降、 靶材耗量下降等路径持续降本，预计22年HIT与Perc生产成本差距降至0.1元/W内。 空间有多大：看好光伏新增装机快速增长，25年HIT设备空间达300亿 近十年来，光伏成本下降88%，已经在全球大部分地区实现了平价上网。我们保守估计25年设备更新需求100GW，每GW产能投资3亿元，则25年HIT设备市场空间可 达300亿元。 电池片设备是黄金赛道 （1）相较于其他环节，电池片技术变革快，可升级空间巨大，电池片设备将保持长期高频率更新，是持续增长的黄金赛道； （2）电池制备工艺可部分沉淀，设备开 发有赖于客户配合，行业先发龙头难颠覆。 报告摘要 一、 为什么说HIT是面向未来的平台型技术 光伏电池的发展路线 过去5年技术变革使光伏成为成本最低的可再生能源之一：单晶替代多晶，Perc替代BSF是过去光伏降本增效的重要原动力。 目前P-PERC电池仍是主流的高效电池技术，但由于其提效潜力有限，其他电池路线逐渐进入人们视野,其中量产希望较大的是TOPcon和HIT 技术。 提效潜力远大于Perc，HIT是连接多结电池的平台型技术 当前时点看，Perc效率天花板在24%左右，而HIT电池的P-n结在非晶硅和晶体硅材料之间形成，导致其提效潜力高于Perc，HIT是单节 时代效率次高的技术，实验室效率26%+。 多结电池利用多种材料对于太阳光谱不同的波段吸收，可实现更高转换效率。 HIT加上钙钛矿的叠层是多节时代入门级技术，因此认为 HIT是一个承上启下的平台型技术。 HIT电池的发展历史 异质结（HIT）太阳能电池自90年代由三洋量产，但由于成本原因未成为主流。近年来，随着技术进步，HIT的转换效率、生产成本不断改善。 HIT的结构：HIT呈对称结构，以N型单晶硅片为衬底，正面依次沉积本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜 ，背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非 晶硅薄膜，掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜（TCO），在TCO两侧顶层形成金属电极。 HIT电池为对称结构，制备流程少 相较于Perc电池，HIT电池主要工艺流程仅4步，工艺流程减少的结果是生产良率提升较容易。 HIT电池与Perc电池主要的设备差异在第二、三道工序，主要是用于非晶硅沉积的PECVD设备以及用于制备TCO的PVD/RPD设备。 HIT耗材降本展望 硅成本： 硅片成本：HIT使用N型硅片，目前同等厚度下N型硅片价格比P型高约7%-10%。HIT是低温工艺，可以使用更薄的硅片，硅片可以薄到100微米（松下已实 现），预计两年N型硅片厚度在130-140微米。薄片化之后（150微米左右）N型和P型硅片价格趋同，预计130nm N型硅片价格便宜约10%。 四环节对应原材料： 清洗制绒：KOH、HCL、H2O2、HF、添加剂等，价格较稳定。 PECVD：主要是TMB等气体，成本可以忽略。 PVD靶材成本：靶材核心成分是氧化铟，质量占比在90%以上，剩余10%是氧化锡、氧化钨、氧化铈、氧化钛等金属氧化物，之前主要用在面板行业。靶材 价格在2500-3000元/千克左右，消耗量约168毫克/片（已有企业称降至140毫克），目前靶材成本约6分/瓦。考虑沉积腔室回收、背面使用铟含量低的 AZO靶材后，预计22年消耗量可降低至50毫克/左右，假设靶材价格上涨至6000元/千克，未来靶材成本有望降到4分/瓦。 丝印银浆成本：HIT所用银浆为低温银浆，当前价格较高温银浆更高，主要是量小无规模效应，放量后，价差预计很小（低温银浆技术无太大壁垒）。 单耗方面，HIT要求双面刷银电极，Perc为一面银电极一面铝电极。以MBB印刷，单耗180毫克/片（Perc 约90mg），使用梅耶博格的SMWT单耗可达95毫 克/片左右。按当前银浆价格计算，HIT的银浆成本0.23元/瓦，后期使用无主栅等技术，银浆成本0.076元/瓦，银浆为降本最关键一项成本。 设备成本： 设备主要差异在PECVD和PVD