现代光学分析：第7章 ICP-AES 进样技术.pptVIP

第7章 ICP-AES 进样技术 ICP进样装置与技术 ①.气动雾化进样 ②.火花烧蚀进样 ③.直接试样插入 ④.电热进样技术 ⑤.激光烧蚀进样 ⑥.氢化物发生法 ⑦.生成挥发物进样技术 ⑧.微量溶液进样技术 ⑨.浆液雾化进样装置 ①.气动雾化进样 载气 玻璃同心雾化器的作 用是把试液雾化成气 溶胶并通过雾室导入 到炬管及等离子体. ②.火花烧蚀进样 火花烧蚀进样装置可用于块 状金属的分析.装置如右图. 装置由火花发生器、气化室 和电极构成. 块状金属试样置于放电室上, 钨棒作为下电极,在金属样品 和钨电极之间进行火花放电, 将金属表面气化,用氩气作为 载气将试样气溶胶通入ICP 光源进行测定. ③.直接试样插入 直接试样插入装置(direct sample in sertion),简称DSI装置,是用于 分析粉末类试样的进样技术 .如右图所示, 由常用的石墨杯状电极插入 石英炬管中心管中,再向上伸 入ICP光源中,利用等离子体 的高温加热石墨杯中试样,使 其蒸发进入ICP焰. 石墨杯可以制成各种形状,支 持在玻璃碳棒和石英碳棒上. 石英棒可以上下移动来确定 最佳加热位置. ④.电热进样技术 电热蒸发(electro thermal vaporization, ETV) 进样是将装置置于石墨炉、石墨 棒或耐高温金属片上加热蒸发,试 样蒸发后被载气带入ICP光源激 发的光谱分析技术.如右图所示, 装置通常用原子吸收光度计的石 墨炉改装.将原子吸收石墨炉一 端用聚四氟乙烯棒封塞,另一端 接ICP光源.用微量注射器注入 10-20?l试液,盖上石墨塞并通电 加热,经过干燥、灰化、蒸发过 程,试样气溶胶用载气带入 ICP 光源进行原子化和激发. ⑤.激光烧蚀进样 激光烧蚀(laser ablation)进样装 置是用激光束照射试样使其 气化,用载气将试样气溶胶送 入ICP光源.如右图所示, 激光气化装置主要由激光微 探针、样品气化室及供气系 统组成. 样品置于样品台上,能量1.0焦尔的激光脉冲聚焦到样品上,靶点温度达5000-6000K,使样品微区迅速熔化及气化.样品面积可小到10?m, 最大约300 ?m. 用载气将气溶胶导入ICP光源. ⑥.氢化物发生法 氢化物发生法原理 与被测元素的反应为: 式中, Am3+是氢化物元素，AHn是氢化产物． 能形成氢化物的元素有砷、硒、锗、锑、铅、 锡、铋、碲等 氢化物发生器 右图为连续型氢化物发生 器． 试样和还原剂NaBH4 溶液由蠕动泵输入到反应 室，所产生的氢化物由载 气送入ICP光源． 生成挥发物进样技术 　　除了氢化物形成进样技术外，还有一些元素或离子可在一定化学条件下形成低沸点的易挥发化合物，以气态形式直接导入ICP． 这种进样技术可以降低基体效应并有一定的富集作用，对某些特定元素是一种有效的进样技术． 生成挥发物进样技术－碘的测定 生成挥发物进样技术－硫化物，碳酸盐的测定 溶液中的硫化物可以在酸性条件下反应产生SO2气态化合物，分析线为S180.73nm; 碳酸盐在酸性条件下产生气态的CO2,分析线为247.82nm. 生成挥发物进样技术－硅和砷的测定 As2O3+6NaF+3H2SO4 3AsF3+3Na2SO4+3H2O 砷可用形成三氟化砷挥发性化合物来测定． 样品中硅可用氟化法生成四氟化硅． 生成挥发物进样技术－汞和锇的测定 汞可用SnCl2还原生成单质汞，ICP 光源中检出限 为0.25ug/L. 贵金属锇在呈OsO4形态时极易挥发．将溶液中非 挥发态HOsO5-,在浓硝酸存在时生成易挥发OsO4, 用载气导入ICP光源，其谱线强度较非挥发态增加 约６０倍． 微量溶液进样装置 通用气动雾化器一次测定所用试液约５－１０mL．某些类型样品 分析不能提供充足的样品量． 例如放射性样品分析，贵金属和稀有金属试样，以及生物样品等． 降低样品用量可有四种途径： ①．采用循环雾化装置，将雾化废液循环利用． ②．脉冲进样，用注射器注入微升量溶液，产生表征某元素浓度 的脉冲信号． ③．微量雾化器，降低气动雾化器中心进样管尺寸，将进样量降 到微升级用量． ④．采用通用气动进样装置，降低蠕动泵进样速度，减少进样量． 微量溶液进样装置－循环雾化系统 微量溶液进样装置－脉冲进样器 石墨炉电热进样装置是属于微量进样技术类．脉冲进样也可显著降低溶液用量．脉冲进样又称“一滴法”．其装置如下： 微量溶液进样装置－微量同心雾化器（Microconcentric neblizer, 简称MCN) 微量同心雾化器的提升量可低至数微升． MCN与通用同心雾化器的主要区别是喷口处尺寸不同． 通用同心雾化器中心毛细管的内径为0.2mm,毛细管壁厚为0.06mm,