2cw56硅稳压二极管伏安特性曲线.docx

实验原理 1稳压二极管伏安特性描述 2CW56属硅半导体稳压二极管，其正向伏安特性类似于 1N4007型二极管，其反向特性 变化甚大。当2CW56二端电压反向偏置，其电阻值很大，反向电流极小，据手册资料称其值 。随着反向偏置电压的进一步增加， 大约到7 —时，出现了反向击穿（有意参杂而成）， 产生雪崩效应，其电流迅速增加，电压稍许变化，将引起电流巨大变化。只要在线路中，对 雪 崩”产生的电流进行有效的限流措施，其电流有小许一些变化，二极管二端电压仍然是稳定的 （变化很小）。这就是稳压二极管的使用基础，其应用电路见图 3— 1。图中，E—供电电源， 如果二极管稳压值为 7?，则要求E为10V左右；R—限流电阻，2CW56,工作电流选择8mA, 考虑负载电流2 mA,通过R的电流为10 mA，计算R值： E Vz 10 8 R= I = 0.01 =200 C—电解电容，对稳压二极管产生的噪声进行平滑滤波。 VZ—稳压输出电压 1—1—V—* + V2 = SC Vz 一 1 F *—4 图3 — 1稳压二极管应用电路 2、实验设计 1） 2CW56反向偏置0?7V左右时阻抗很大，拟采用电流表内接测试电路为宜；反向偏 置电压进入击穿段，稳压二极管内阻较小（估计为 R=8=1K ），这时拟采用电流表外接测 试电路。结合图3- 1,测试电路图见图3-2。 实验过程 电源电压调至零，按图3-2接线，开始按电流表内接法，将电压表+端接于电流表+端; 变阻器旋到1100 后，慢慢增加电源电压，记下电压表对应数据。 当观察到电流开始增加，并有迅速加快表现时，说明 2CW56已开始进入反向击穿过程， 这时将电流表改为外接式，按表3- 1继续慢慢地将电源电压增加至 10V。为了继续增加2CW56 工作电流，可以逐步地减少变阻器电阻，为了得到整数电流值，可以辅助微调电源电压。 数据记录 2CW56稳压二极管正向伏安特性 电流表 内接法 U(V) 0 内接 法1 (mA ) 0 0 0 电流表 外接法 U(V) 0 外接 法1 (mA ) 0 0 0 2CW56稳压二极管反向向伏安特性 电流表 内接法 U(V) 0 2 4 6 7 内接法 1( mA) 0 0 0 电流表 外接法 U(V) 0 2 4 6 7 外接法 1( mA) 0 0 0 图表 盏二一 I d r -?— 匸人 2) 接法I (mA) 内接法I (mA) 外接法I (mA) 20 15 10 5 16 14 12 10 8 6 4 2 0 ?2 ?内接法I (mA) ?外接法I (mA) 六、实验总结 当稳压二极管尚未反向击穿时其反向电阻很大，使用电流表内接法， 电流表的内阻相对于稳压二极管而言， 压降很小，可以忽略。 当稳压二极 管反向击穿后其反向电阻很小， 使用电流表外接法， 电压表相对于稳压二 极管而言，分流很小，可以忽略。 总之，二极管正向导通时电阻值很小， 采用电流表外接法测试电路产 生的误差较小， 二极管反向导通时电阻值很大， 采用电流表内接法测试电 路产生的误差较小。 姓名：姚春明 学号： 实验时间： 17周周五 7、8 节