半导体及其本征特征解读.ppt

8. 过剩载流子 由于受外界因素如光、电的作用，半导 体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这 些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子 2 i n np ? 公式 不成立 载流子的产生和复合：电子和空穴增加和消 失的过程 电子空穴对：电子和空穴成对产生或复合 第二章 半导体物理和器件物理基础 Recap: 主要知识点和阅读章节 ? 1 、半导体材料基本特性 ? 2 、 pn 结 ? 3 、双极晶体管 ? 4 、场效应管 ? 阅读教材第二章 ? 阅读康华光《电子技术基础 - 模拟部分（第 五版）》第 1 、 2 、 3 、 4 、 5 章 . ? 参考教材： ? [1] 童诗白 , 华成英 ( 著 ). 模拟电子技术基础 ( 第四版 )[M]. 北京 : 高等教育出版社 ,2006. ? [2] 康华光 ( 著 ). 电子技术基础 : 模拟部分 ( 第 五版 ))[M]. 北京 : 高等教育出版社 ,2010. 第一讲 半导体物理基础 ? 2.1 半导体及其基本性质 ? 2.2 半导体中的 载流子 ? 2.3 半导体的 电导率（电阻率的倒数） 和载 流子输运 固体材料： 超导体 : 大于 10 6 ( ? cm) -1 导 体 : 10 6 ~10 4 ( ? cm) -1 半导体 : 10 4 ~10 -10 ( ? cm) -1 绝缘体 : 小于 10 -10 ( ? cm) -1 ？什么是半导体 从导电特性和 机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制 1. 半导体的结构 原子结合形式：共价键 形成的晶体结构： 构 成 一 个正四 面体， 具 有 金 刚 石 晶 体 结 构 半导体的结合和晶体结构 金刚石结构 半导体有元素半导体，如： Si 、 Ge 化合物半导体，如： GaAs 、 InSb 、 GaP 、 InP 2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子 本征半导体： n=p=n i 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1 、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外 层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子 受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时 才可能导电。 半导体－－硅（ Si ）、锗（ Ge ），均为四价元素，它 们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘 体之间。 无杂质 稳定的结构 2 、本征半导体的结构 由于热运动，具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚 而成为 自由电子 自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置，称为 空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为 复合 。 共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高， 热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对 的浓度加大。 动态平衡 两种载流子 外加电场时，带负电的自由电 子和带正电的空穴均参与导电， 且运动方向相反。由于载流子数 目很少，故 导电性很差 。 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？ 3 、本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载 流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度 0K 时不导电。 电子： Electron ，带负电的导电载流子， 是价电子脱离原子束缚 后形成的 自由电子，对应于导带中占据的电 子 空穴： Hole ，带正电的导电载流子，是 价电子脱离原子束缚 后形成的电 子空位，对应于价带中的电子空位 KT E i i GO e T K p n 2 2 3 1 ? ? ? 4 、本征半导体中载流子的浓度 在一定温度下 本征半导体中 载流子的浓度是一定 的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 本征半导体中 载流子的浓度公式： T =300 K 室温下 , 本征硅的电子和空穴浓度 :