低频电子电路_01解读.ppt

1.2.2 有电压时 PN 结的导电能力 1 PN 结的电阻特性 P + N 内建电场 E l 0 + - V PN 结 正偏 阻挡层变薄 内建电场减弱 多子扩散 少子漂移 多子扩散形成 较大 的正向电流 I PN 结导通 I 电压 V ? 电流 I ?? 第 1 章 半导体基础元件与非线性电路 ? PN 结 —— 导电原理 P + N 内建电场 E l 0 - + V PN 结 反偏 阻挡层变宽 内建电场增强 少子漂移 多子扩散 少子漂移形成 微小 的反向电流 I R PN 结截止 I R I R 与 V 近似无关。 温度 T ? 电流 I R ?? 结论： PN 结具有单方向导电特性。 第 1 章 半导体基础元件与非线性电路 ? PN 结 —— 伏安特性方程式（ PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： ) 1 e ( T j j S ? ? V v I i q kT V ? T 热电压 ? 26 mV ( 室温 ) 其中： I S 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但 受温度影响很大。 正偏时： T e S V V I I ? 反偏时： S I I ? ? 第 1 章 半导体基础元件与非线性电路 (BR) j V v ? ? ） ? PN 结 —— 伏安特性曲线（ V D(on) - I S Si Ge V D(on) = 0.7 V I S = (10 -9 ~ 10 -16 ) A 硅 PN 结 V D(on) = 0.25 V 锗 PN 结 I S = (10 -6 ~ 10 -8 ) A V V D(on) 时 随着 V ? 正向 R 很小 I ?? PN 结导通； V V D(on) 时 I R 很小 ( I R ? ? I S ) 反向 R 很大 PN 结截止。 温度每升高 10 ℃， I S 约增加一倍。 温度每升高 1 ℃， V D(on) 约减小 2.5 mV 。 0 (BR) j V v ? ? ） j i j v 第 1 章 半导体基础元件与非线性电路 | V 反 | ? = V (BR) 时， ? I R 急剧 ??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低 ( l 0 较宽 ) 发生条件 外加反向电压较大 ( 6 V ) 形成原因： 碰撞电离。 -V (BR) I D V 形成原因： 场致激发。 发生条件 PN 结掺杂浓度较高 ( l 0 较窄 ) 外加反向电压较小 ( 6 V ) O ? PN 结的击穿特性（ (BR) j V v ? ? 第 1 章 半导体基础元件与非线性电路 ） 因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ? V (BR) ? 。 ? 雪崩击穿电压具有正温度系数。 ? 齐纳击穿电压具有负温度系数。 因为 T ? ? 价电子获得的能量 ? ? V (BR) ? 。 2 PN 结的热击穿现象 热击穿 是指 PN 结功率耗损过大，结温升高，半导体 激发加强，导致 PN 结功耗进一步增大的恶性循环。循环 的最终结果，必将导致 PN 结的晶体结构遭到破坏，半导 体材料被烧毁， PN 结的导电特性不复存在的开路状态。 第 1 章 半导体基础元件与非线性电路 3 PN 结的电容特性 PN 结内净电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 ? 势垒电容 C T γ V V C C ) 1 ( ) 0 ( B T T ? ? ? 扩散电容 C D PN 结贮存的自由电子和空穴 同步增减所需的电荷储量变化 的电容效应。 C T (0) C T V O j j j D d d τ v I C ? x n 少子浓度 x O ? x p P + N 第 1 章 半导体基础元件与非线性电路 ? PN 结电容 ?