低频电子电路_06章20120505解读.ppt

■ 31 3 、快速转换信号参数 转换速度 S R 、建立时间 t s 。该类参数强调的是 电路反应时间，常用于开关应用领域，如开关电路、 比较器应用等。 转换速度 S R 。在特定的负载下，集成增益器件输 入阶跃大信号时输出的最大变化率，如图 6-1-11 （ a ） 所示。一般来说，集成增益器件的同相输入端和反向 输入端的转换速率存在差异，输出波形的前沿和后沿 的转换速率也存在差异。通常其值在 1 μ V/s ，高速型 集成增益器件转换速率会大于 10 μ V/s 。 第 6 章 集成器件基础 ■ 32 （ a ）转换速度含义 （ b ）建立时间含义 图 6-1-11 快速转换信号参数 第 6 章 集成器件基础 ■ 33 我们必须指出：增益器件在使用时，应注意如下问题： （ 1 ）注意手册的指标是在一定条件下测量得出的， 该测量条件并非是你的应用条件，因此手册的指标只 具有参考意义。 （ 2 ）在实际中，器件的各种指标往往不能同时达到 最优。如场效应管虽然有高的输入电阻和低的输入偏 置电流，但电路的失调电压会较大。对于弱信号下的 应用，则更应关注噪声系数、失调和温漂。 （ 3 ）在强冲击电压、电流环境下的应用时，应选用 带过压、过流、过热等具有较强保护功能的增益集成 器件。 第 6 章 集成器件基础 ■ 34 ■ 35 6.2 集成与非、或非的电路基础 为了适应数字信号的逻辑处理，人们已将集成技 术应用于数字电路领域。从分析角度讲，该领域的电 路属于增益器件的大信号应用。下面就基础的逻辑电 路原理讲解如下。 1. 基础逻辑非门 根据表 3-2-1 的非逻辑信号目标，即输入代表信息 1 的高电平时，电路应输出低电位；当输入代表信息 0 的低电平时，电路应输出高电位。由此，可以采用共 发射极晶体管电路的反相原理来实现逻辑非的数字信 号处理，具体电路如图 6-2-1(a) 所示。 第 6 章 集成器件基础 ■ 36 （ a ）原理图 （ b ）分析曲线 图 6-2-1 逻辑非门电路原理 下面分析的关键是找出：代表信息 1 和 0 的高、 低电平大小和范围。 第 6 章 集成器件基础 ■ 1 6.1 集成增益器件 6.1.1 双极型集成增益器件 6.1.2 ＭＯＳ集成增益器件 6.1.3 集成运放的技术指标 6.2 集成与、或、非门的电路基础 第六章 集成器件基础 《低频电子电路》 ■ 2 集成器件 ： 是指基于同一硅基片材料，通过制造工艺 流程在不同区域完成二极管、晶体管、场效应 管、电阻和电容的功能区域，并经基片表面光 沉积铝层和光刻工艺完成各区域的连接 , 构成具 有电路功能的集成器件。 正因为如此，集成器件又称 集成电路 (Integrated Circuit) 。 第 6 章 集成器件基础 ■ 3 集成电路制造的特性 基于制造工艺流程的标准性，同一硅基片上相邻 区域元器件的参数误差可以控制在较小范围内，即可 以在设计中采用对称的电路设计理念。 集成器件的电容可以采用 PN 结的结电容，也可以 采用二氧化硅绝缘方式得到；电阻则采用掺入一定杂 质得到。为了避免占用较大的基片区域，大电容 ( 200 pF ) 和几十欧至几十千欧以上的电阻，可以采用电极 外接分立元件方式完成，这样可以实现较精确参数选 择和较理想的线性特性。此外，集成工艺不易实现电 感。 第 6 章 集成器件基础 ■ 4 集成电路 自 1958 年以来的 50 年发展，已达 到在单个基片上制作几千万个晶体管或场效应 管的完整电子系统水平。与分立元件相比，具 有体积小、重量轻、耗电少，由此制作的成品 电路系统可靠性高、性能好，成本低。 第 6 章 集成器件基础 ■ 5