CS1611DimmableLEDDesignGuideAN364中文版翻译要点.docxVIP

3.2设计步骤概述 CS1610/11 LED驱动IC控制电源转换系统，有两个不同的电源转换阶段。 IC 电路。1。2。 电路。 1。 2。 回扫阶段的开始。 在全功率的最小电源V(BST)的设计时应注意，任何设计都可能需要取舍 不同的运行参数。 3。 3。 4。 5。 6。 7 。 以功率回扫阶段的要求，来决定升压阶段设计。 无调光模式，启动升压阶段设计。 确定在升压电感器的峰值电流，Ip k(BST) 确定一个升压电感L(BST),在定义的范围内，调整开关频率。要考虑到对 EMI的影响。 在峰值电流额定值下挑选升压FET。 选择电源组件。 完成非电源转换电路：ZCD OVP eOTP箝压电路，电荷泵和偏置电路。 设计EMI滤波器。 为PCB布线。 在全亮度(满载)点进行反激阶段设计。为了达到最佳的解决方案，设计的过 程可能需要反复几次。尤其是EMI滤波器，是至关重要的，因为只有很小的自由 度来选择能满足以下要求的EMI元件： ?符合EMI规范 ?实现最大的品种，调光器的兼容性 ?柔和调光，一个调光器来控制一些可变数量的灯具时无频闪 3.3反激式阶段设计 图2说明了设计的反激式阶段的步骤。 图略 反激式设计的步骤 1。 设置升压输出电压，V( BST 2。 选择MOSFE要质量标准一致的设计公司。 3。 通过V (BST ,FET电压，反射电压和 V股錨R来确定变压器匝数比。 4。 在T3时间，使用额定的开关频率和一个初始评估来确定在全亮度下的时间 TT值 5。用V ( BST , TT ,和V股来确定时间T1和T2。 6。用时间T2和TT,匝比n和负载电流来确定峰值初级电流值，丨側良。 7。 用I应1良来确定R(册R)。 8。 用时间T1计算原边电感。 9。满负荷条件下计算反激式增益电阻 即)。确保与昏暗相对的负载线性 曲线。 10 。11 012 013 0 10 。 11 0 12 0 13 0 选择一个输出电容。 确定回扫变压器的规格。 确定回扫变压器是否适合设计后的指定形式因素，建造回扫变压器。重复 步骤3至12,直到满足外形标准。 14。 最终回扫变压器电路的改进设计。 15。 验证系统是否符合经营条件。 7 步骤1)选择一个升压输出电压值 升压输出电压值，V (BST必须比最大输入AC线电压的峰值更大。 最大电压V(BST，V田(曲 应保持尽可能低，以帮助维持在经济约束范围内 FET击穿的需求。 V (BST的确定取决于检测类型的调光器内部参数和变化。在 230V的系统中， 将感电阻R7, R8和R14和R15设置为1.5MQ，V (BST 约为405匕 对于120V 的系统中，每个感电阻 R7, R8和R14和R15设置为750KQ，V (BST 约200V。 在每半个线路周期中，通过充电升压输出电容至其理论值时来约束 V ( BST。 每半个线路周期结束时，V (BST将下落到最低值，直到在下个半线路周期升压 进程再次启动才会提高。 第2步)选择适当的FET 确定FET的击穿电压，V (breakdown),反映电压和 V股凰血。FET的最大漏 电压，V卽!甜眼，按照以下公式1计算。 变压器漏感的振荡通常没有足够的能量造成破坏性的雪崩击穿。密切接近 FET 击穿电压的电压是可以接受的。 理想的情况下，V丘鈿R应与Vre有几乎相同的值。因为操控变压器近50%占空 比会优化变压器的效率。另外，V 应该是远远大于 以迅速排出变 压器的漏感中储存的能量。 受制于成本和性能的FET的击穿电压。必须在分区电压 VfR V □一丟和V压服中 取得一个妥协方案。第二个妥协方案，由如何将 V 丟■划分成Ve注J1IR和一个合 理的过冲电压部分来确定，V 碍 0 由漏感造成的损失是与V D制注成反比。见 公式2。 过冲是一个在V股锁|_尺上的短暂情况，要求迅速消散储存在变压器的漏感中的能 量。在此期间，初级电流避开传到次级，从负载吸掉能源以加载钳位齐纳（缓冲 器）。 图3。 FET击穿电压 为获得最佳的效率，增加变压器的损耗（创建一个不均匀的占空比）必须平衡 漏感减少所造成的损失（通过增加冲放电压）。 方程3用于平衡所有供给FET 漏极和源的电压）。。 步骤3）确定的回扫变压器匝数比 根据输出电压，V out和V股錨R选择一个匝数比，使用 公式4。 第4步）选择全亮度的开关频率 CS1611的最大开关频率为200kHz。试验结果表明，最佳的性能是在 75kHz至 120kHz的范围内获得。更高频率允许使用更小的磁性元件，但开关损耗增加。 变压器与开关频率的大小是有限的，需要设计隔离。选择过低的一个完整亮度， 开关频率将冒着损害调光器兼容性的风险，也允许的最小频率下降到可听范围。 公式（5）。从全亮度频率，确定（T1 +