半导体物理与器件-第11章 MOSFET概念深入.pptVIP

12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型1 视作漏-衬pn结空间电荷区的扩展 * 12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型2 * 12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:影响因素 ID的实测值高于理论值 在饱和区，实测ID随VDS增加而缓慢增加 * 11.1 非理想效应迁移率变化:纵向电场的影响(1) 表面散射 * 11.1 非理想效应迁移率变化:纵向电场的影响(2) 体迁移率(典型值600cm2/Vs, NMOS） 表面迁移率 典型值0.03 随VGS-VTn↑而↑变缓 有效迁移率： 有效迁移率经验表达式： * 12.1 非理想效应迁移率变化:漂移速度与电场的关系 峰值电场强度 峰值漂移速度 饱和漂移速度 * 11.1 非理想效应 迁移率变化:Si的情形 （104V/cm) 低场：迁移率不随E而变 高场：迁移率随E增加而下降 强场：迁移率与E成反比 * 11.1 非理想效应 迁移率变化:GaAs、InP的情形 （104V/cm) 与Si相比，GaAs、InP的特点： 存在漂移速度峰值 迁移率大 存在负微分迁移率区 饱和漂移速度小 * 11.1 非理想效应12.1.4迁移率变化:速度饱和效应 漏源电流下降 提前饱和 饱和漏源电流与栅压成线性关系 饱和区跨导与偏压及沟道长度无关 截止频率与栅压无关 * 11.1 非理想效应 弹道输运 非弹道输运MOSFET 沟道长度L0.1μm，大于散射平均自由程； 载流子从源到漏运动需经过多次散射； 载流子运动速度用平均漂移速度表征； 弹道输运MOSFET 沟道长度L0.1μm，小于散射平均自由程； 载流子从源到漏运动大部分没有一次碰撞-弹道输运； 高速器件、纳米器件； * 在MOSFET中，当沟道长度小于载流子的碰撞距离时，载流子中的一大部分可以不经过散射就能从源端到达漏端，这种载流子运动称为弹道输运。 11.2 按比例缩小 为什么要缩小MOSFET尺寸? 提高集成度：同样功能所需芯片面积更小； 提升功能：同样面积可实现更多功能； 降低成本：单管成本降低； 改善性能：速度加快，单位功耗降低； 若尺寸缩小30％，则 栅延迟减少30％，工作频率增加43％； 单位面积的晶体管数目加倍； 每次切换所需能量减少65％，节省功耗50％； * 完全按比例缩小(Full Scaling) 尺寸与电压按同样比例缩小； 电场强度保持不变； 最为理想，但难以实现； 11.2 按比例缩小 缩小方式 恒压按比例缩小(Fixed Voltage Scaling) 尺寸按比例缩小，电压保持不变； 电场强度随尺寸的缩小而增加，强场效应加重； 一般化按比例缩小(General Scaling) 尺寸和电场按不同的比例因子缩小； 迄今为止的实际做法； * 11.2 按比例缩小 完全按比例缩小:规则 * 11.2 按比例缩小 完全按比例缩小:结果 * 11.2 按比例缩小 完全按比例缩小:小结 * 11.3 阈值电压修正 VT与L、W的相关性 漏、源区扩散结深rj 表面空间电荷区厚度xdT n沟道MOSFET 短沟道 长沟道 n沟道MOSFET 窄沟道 宽沟道 * 11.3 阈值电压修正VT随L的变化:表面空间电荷 短沟道效应 * 11.3 阈值电压修正 VT随L的变化:ΔL的计算 源-体结空间电荷区宽度 表面空间电荷区宽度 漏-体结空间电荷区宽度 源、漏pn结结深 * 若沟道长度L短到与漏-源结深rj相当时，阈值电压VT与沟道长度L有关，此时VT随L的减少而减少 11.3 阈值电压修正 VT随L的变化:ΔVT的计算 * 11.3 阈值电压修正 VT随L的变化:关系曲线 VDS0 VBS0 * 11.3 阈值电压修正 VT随W的变化:表面电荷 窄沟道效应 * 若沟道宽度W窄到与表面空间电荷区宽度xdT相当时，阈值电压VT与沟道宽度W有关，此时VT随W的减少而增加 11.3 阈值电压修正 VT随W的变化:ΔVT的计算 * 11.3 阈值电压修正 VT随W的变化:关系曲线 * 11.3 阈值电压修正 离子注入调整VT:原理 p型半导体表面注入受主杂质Na（如B）→半导体表面净掺杂浓度↑→表面更难以反型→VT↑ 受主注入剂量（单位面积注入的离子数） 注入前的阈值电压 p型半导体表面注入施主杂质Nd（如P）→半导体表面净掺杂浓度↓→表面更容易反型→VT↓ 施主注入剂量（单位面积注入的离子数） 注入前的阈值电压 * 11.3 阈值电压修正 离子