第三章_清华_半导体基础知识_《数字电子技术基本教程》教学课件.pptxVIP

《数字电子技术基本教程》教学课件清华大学 王红 陈莉平 阎石 ;补：半导体基础知识;半导体基础知识（1）;半导体基础知识（2）;半导体基础知识（2）;半导体基础知识（3）;半导体基础知识（4）;半导体基础知识（4）;半导体基础知识（5）;第三章 逻辑门;3.1 MOS管的开关特性;N沟道增强型MOS管的开关状态 (1) VIL=0时，D-S间不导通，MOS管截止，ROFF106Ω，开关断开 (2) 加上足够高的+VIH，且VT, D-S间形成n型导电沟道，MOS 管导通， ROFF1KΩ，开关接通 D-S间相当于是一个受VI控制的开关;S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底;P沟道增强型MOS管的开关状态 (1) VIH=VDD时， VGS=0，S-D间不导通，MOS管截止 (2) VIL=0时，VGS=－VDD，且VDD|VT|，S-D间形成p型导电沟道，MOS管导通 S-D之间也构成一个受VI控制的开关。;3. N沟道耗尽型和P沟道耗尽型区别：耗尽型MOS管在VGS=0时就已经有导电沟道存在;3.2 CMOS门电路;(2) 开关等效电路 设定：VDD=+5V，VIH=5V，