数字电子技术与应用8半导体存储器、可编程逻辑器件及其应用.pptVIP

课题8 半导体存储器、可编程逻辑器件及其应用知识目标了解存储器定义和衡量存储器性能的主要指标；熟悉存储器电路组成和原理；了解可编程逻辑器件的结构、分类及基本原理。技能目标掌握存储器容量的扩展方法，能根据实际需要选择合适的存储器；熟练应用可编程逻辑器件。 【应用实例8.5】 试用PAL实现逻辑函数 Y1（A，B，C）=∑m（2，3，4，6） Y2（A，B，C）=∑m（1，2，3，4，5，6） （8.2） 解： 首先对式（8.2）进行化简得到其最简与或式 （8.3） 根据输入变量的个数，以及每个逻辑函数所包含的乘积项的个数来选择合适的PAL器件。实现式（8.3）的PAL阵列图如图8.26所示。 课题小结 1．存储器是组成计算机的五大部件之一，是计算机的记忆设备。现代计算机将程序和数据都存放在存储器中，运算中根据需要对这些程序和数据进行处理。以前计算机多用磁芯作为存储元件，随着集成电路技术的发展，半导体存储器得到了广泛的使用，在计算机系统中，半导体存储器已完全取代了磁芯存储器。 2．按照不同的工作方式，可以将存储器分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。 3．可编程逻辑器件是近年来迅速发展起来的一种新型逻辑器件，用户可以通过相应的编程器和软件，对这种芯片灵活地编写所需的逻辑程序。有的芯片具有可重复擦写、可重复编程以及可加密的功能，而且体积小、可靠性高、功耗低、可测试，它的灵活性和通用性使其成为研制和设计数字系统的最理想器件。 根据存储单元FLoTox管的各电极所加的电压不同，有读出、写入和擦除3种不同的工作状态。如图8.14(b)所示，读出时，控制栅极加+3V以上的电压，字线供给+5V电压，这时T2管导通，若浮栅上存有负电荷(FLoTox管的浮栅上充有负电荷代表存储单元存储的数据为“1” )，则在“位线”上可读出“1”，否则读出“0”。写入时，在要写入“0‘的存储单元的控制栅加低电平，同时相应的字线和位线上加20V左右，10MS宽的正脉冲，使浮栅上存储的电荷通过隧道泄漏掉，即完成了写入“0”的操作。擦除时，漏极按低电平，控制栅和要擦除的单元的字线上加20V，10MS宽的正脉冲，即可使存储单元恢复到写入“0”以前的状态，完成擦除操作。 E2PROM的优点是：编程和擦除都是利用电信号完成的，所需电流小，可以不需要专门的编程器和擦写器，可一次全部擦除，也可按位擦除，适用于科研或试验等场合。一般的E2PROM芯片可擦写1×102~1×104次，数据可保存5~10年。 8.2.5 FLASH(快省存储器) 快省存储器(FLASH)实质上是一种快速擦除的E2PROM，俗称“U盘”。其电路结构和存储单元分别如图8.15(a)(B)所示。与图8.14(a)的不同点是：.FLASH的浮栅与衬底间氧化层厚度更薄(E2PROM的厚度为30~40NM，.FLASH的厚度为10~15NM)，而且浮栅与源区重叠部分由源区横向扩散形成，面积极小，使得浮栅与源区间的电容比浮栅与控制栅极间的电容小得多，使得快省存储器在性能上比E2PROM更好。 存储单元叠栅MOS管根据各极所加的电压的不同，快闪存储器也有读出、写入和擦除3种不同的工作状态。读出时，字线接+5V高电平，若浮栅上有负电荷，则读出“1”，否则读出“0”。写入时，位线接+5V左右的高电平，源极接地，在要写入的存储单元的控制栅加12V左右、10MS宽的正脉冲，给浮栅充电即可完成“写”操作。擦除时，控制栅接地，源极VSS加12V左右，100MS宽的正脉冲，浮栅电荷经隧道区释放。即可擦除存储单元的内容。由于片内所有叠栅MOS管的源极连在一起，擦除时将擦除芯片中各存储单元的内容。 快省存储器的优点是：具有非易失性，断电后仍能长久保存信息，不需要后备电源，而且集成度高、成本低，写入或擦除速度快等。 8.2.6 ROM芯片应用举例 从ROM电路结构图中看出，其译码器的输出是输入变量的最小项，而每一位数据的输出是若干个最小项之和。因此，任何形式组合逻辑函数(与或函数式)均能通过向ROM写入相应的数据来实现。 由于EPROM和E2PROM除编程和擦除方法不同外，在使用时并无本质区别。因此，下面仅以PROM为例讨论其在组合逻辑电路中的应用。 【应用实例8.1】 试用PROM实现4位二进制码到Gray码的转换。 解： 4位二进制码到Gray码的码组转换真值表如表8.1所列。若将4位二进制码转换为Gray码，则A3~A0为4个输入变量，D3~D0为4个输出函数。很显然PROM的容量至少应为16×4位，由真值表可得PROM的阵列图如图8.16所示。 【应用实例8.2】试用ROM设计组合逻辑电路，已知函数F1~F4 画出相应的PROM