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《半导体光电学》课后习题 《半导体光电学》课后习题 PAGE / NUMPAGES 《半导体光电学》课后习题 《半导体光电学》课后习题 第一章 半导体中光子 -电子的互相作用 思虑与习题 1、在半导体中有哪几种与光相关的跃迁，利用这些光跃迁可制造出哪些种类的 半导体光电子学时期。 2、为何半导体锗、硅不可以用作为半导体激光器的有源介质，面倒是常用的光 探测器械料？ 3、用量子力学理论证明直接带隙跃迁与间接带隙跃迁半导体对比其跃迁几率大。 4、什么叫跃迁的 K 选择定章？它对电子在能带间的跃迁速率产生什么影响？ 5、影响光跃迁速率的要素有哪些？ 6、推导伯纳德 -杜拉福格条件，并说明其物理意义。 7、比较求电子态密度与光子态密度的方法与步骤的异同点。 8、在半导体中重混杂对能带构造、电子态密度、带隙、跃迁几率等带来什么影 响？ 9、什么叫俄歇复合？俄歇复合速率与哪些要素相关？为何在 等长 波长激光器中， 俄歇复合是影响其阀值电流密度、 温度稳固性与靠谱性的重要原 因？ 10、比较严格 k 选择定章与其遇到废弛状况下增益 -电流特征的差异。 11、带尾的存在对半导体有源介质增益特征产生哪些影响？ 12、证明式（）。 13、说明图 1.7-5 和图 1.7-6 所依照的假定有何不一样？并说明它们各自的限制性。 第二章 异质结 思虑与习题 1、什么是半导体异质结？异质结在半导体光电子器件中有哪些作用？ 2、若异质结由 n 型（ ）和 P 型半导体（ ）构造，并有 ， ， ，试画出 np 能带图。 3、同型异质结的空间电荷区是怎么形成的？它与异质结的空间电荷形成机理有 何差异？ 优选 4、推导出 pn 异质结结电容 与所加正向偏压的关系， 的大小时半导体光电子 器件的应用产生什么影响？ 5、用弗伽定律计算 半导体当 时的晶格常数，并求出 GaAs 的 晶格失配率。 6、商讨在 Si 衬底上生 GaAs 异质结的可能性。 7、用 半导体作为激射波长为 可且光激光器的有源资料，计算 此中 AlAs 的含量。 8、由经验得出，当 时 , 能与 很好的晶格般配， 试求出激射善于为 时的 x， y 值 . 9、为了减少载流子激光器有源区中泄露，可否无穷制地增添异质结势垒高度， 为何？ 10、如取有源层与限制层带隙差 ,相对折射率 n / n2 ( n2 为有 源层 的折射率 )为 ，试设计 的可见光半导体激光器，即求出有源层 和限制层 的合理组分 . 第三章 平板介质光波导理论 思虑与习题 1、阐述光波致使应在异质结激光器中的作用，在垂直于异质结平而方向上的光 波导是如何形成的？ 2、要想在激射波长为 1.3um 的双异质结激光器中获得基横模。已知中心层折射率为 n2=3.501. 两边限制层折射率 n1=n3=3.220. 试求中心层厚度 d 应知足的取值条件。 3、在图 3. 2.1 所示的平板介质波导中，已知 n2=2.234 、n1=2.214 、d=1um 和 0 m . 求该波导的数值孔径和特色圆方程的 R 值。 4、反射相移与吉斯 -亨森位移在物理观点上有何联系和差异？ 5、如何理解反射相移对波导模式的影响 ?为何在对称平板介质波导中基模永不 优选 截止 .而在非对称平板介质波导中存在基模截止条件。 6、从理论上证明在双异质结激先器中的光偏振方向平行于结平面。 7、什么叫有效折射率方法？在剖析光波导中有何作用？ 8、有哪些方法能在半导体激光器的侧向形成光波导？ 9、为何在议论 TE 或 TM 模式中均未考虑其 z 重量? 第四章 异质结半导体激光器 思虑与习题 1、为何同质结激光器不可以在室温下连续工作？为何其光场散布相关于结平 面不对称散布？ 2、条形半导体激光器有哪些长处？为何？ 3、在条形半导体激光器中侧向电流扩展和侧向载流子扩散在物理观点上有何不 同？如何减少这两种影响？ 4、增益波导的物理实质是什么？与折射率波导对比，在限制光场扩展能力上有 何差异？ 5、说明增益波导与折射率波导束腰地点在何差异？ 6、说明散射因于 (K 因子 )的物理意义， 证明增益波导与折射率波导的 K 因子在 数值上的差异？ 7、制造可见光激光器所碰到的困难是什么？如何战胜？ 8、散布反应激光器与往常的法布里 -柏洛激光器在原理、构造和性能上有哪些差 别？ DFB 激光器中 λ /4相移区有何作用？为何能起到这类作用？第五章 半导体激光器的性能 思虑与习题 1、联合式 (5.1-4)，解说图 5.1-5 所表示的阈值电流密度 Ja 与双异质结激光器有 源层厚度的关系。 2、半导体激光器的特色温度 T0 有何物理意义？为何 GaAIAs/GaAs 激光器与 InGaAsP /lnP 激光器对比有高的特色温度？ 3、有哪些详细举措能提升半导