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２０１６年光刻胶行业深度分析报告 ２０１６年光刻胶行业深度分析报告 投资概要 驱动因素、关键假设及主要预测： 光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本 约为整个芯片制造工艺的 35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的 40%-60%。因此光刻胶是半 导体集成电路制造的核心材料。 光刻胶有着极高的技术壁垒，目前国内差距跟全球先进水平有着极大的差距，应该是几种 关键电子化学品当中差距最大的一种。北京科华和苏州瑞红应该是国内技术比较领先的企业， 但其营收依然较小，如苏州瑞红，年收入规模才 8000 万元。 我们与市场不同的观点： 上市公司标的首选光刻胶三朵花（苏州晶瑞、南大光电和强力新材）。从上市公司的标的 来看，苏州晶瑞（拟上市公司）持有苏州瑞红 54.6%的股权，南大光电持有北京科华 31.4%的 股权，应该说这是最佳的标的（因为北京科华和苏州瑞红应该是最有希望突破技术壁垒的）。 强力新材虽然不直接涉及光刻胶的生产，主业是从事光刻胶的原料生产，但已经进入了国际供 应链体系。能够分享光刻胶行业成长的红利，也值得重点关注。 跨国并购是快速获取技术的有效手段，我们筛选出了 6 家市值在 100 亿人民币以下的国际 光刻胶企业，建议国内上市公司关注，他们分别是台湾长兴化学、日本东京应化、日本东洋油 墨、日本 ADEKA、韩国锦湖化学。 估值与投资建议： 上市公司标的首选光刻胶三朵花（苏州晶瑞、南大光电和强力新材）。从上市公司的标 的来看，苏州晶瑞（拟上市公司）持有苏州瑞红 54.6%的股权，南大光电持有北京科华 31.4% 的股权，应该说这是最佳的标的 （因为北京科华和苏州瑞红应该是最有希望突破技术壁垒的）。 强力新材虽然不直接涉及光刻胶的生产，主业是从事光刻胶的原料生产，但已经进入了国际 供应链体系。 股票价格表现的催化剂： 电子产品升级换代加速，人工智能、可穿戴设备、虚拟现实等产业加速发展 主要风险因素： 电子产品需求增长低于预期，技术进步、进口替代进程低于预期 ２０１６年光刻胶行业深度分析报告 目录 一、光刻胶的概述 1 （一）光刻胶的定 1 （二）光刻胶分类 1 （三）光刻胶的技术参数 3 二、光刻胶的发展 4 （一）光刻胶的发展历史 4 紫外负型光刻胶 4 紫外正型光刻胶 5 248nm 深紫外光刻胶 5 193nm 深紫外光刻胶 6 （二）新一代光刻技术 7 157nm 深紫外光刻胶 7 极短紫外光刻胶（EUV） 8 电子束光刻胶 8 离子束胶 9 X 射线胶 9 （三）世界光刻胶发展瓶颈 9 （四）中国光刻胶发展瓶颈 9 三、光刻胶的应用 11 （一）半导体光刻胶 11 光刻胶应用环节 11 市场规模分析 12 （二）液晶显示（LCD） 15 光刻胶应用环节 15 市场规模分析 16 （三）印刷电路板（PCB） 20 光刻胶应用环节 20 市场规模分析 20 四、中国光刻胶产业 23 五、世界光刻胶产业 29 ２０１６年光刻胶行业深度分析报告 图 目 录 图 1：光刻胶工作原理示意图 2 图2：紫外负型光刻胶机理 5 图3：紫外正型光刻胶感光机理 5 图4：248nm 光刻胶成像机理 6 图5：193nm 浸没式光刻机原理 7 图6：2014 年光刻胶下游应用格局分布 11 图7：集成电路光刻蚀刻工艺流程（以多晶硅刻蚀及离子注入为例） 12 图8：中国集成电路产值规模及增速 13 图9：中国半导体产业销售额 13 图 10：2019 年 12 寸晶圆厂产能 13 图 11：光刻胶市场需求情况 14 图 12：STN-LCD 原理 15 图 13：TFT-LCD 原理 15 图 14：TFT-LCD 阵列制程工艺示意图 16 图 15：LCD 产