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磁敏传感器
1.磁阻效应
某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化,
这种现象称为磁阻效应。从微观上讲,材料的电阻率增加
是因为电流的流动路径因磁场的作用而加长所致。
磁敏电阻常用InSb、InAs、NiSb等磁阻效应明显的半
导体材料制成。磁阻效应除了与材料有关外,还与磁敏电
阻的形状有关。
自由电子的
运动路径增
长方形磁敏 长较多,霍
电阻只有两 尔电动势降
端才有所偏 低。
移,这样,
自由电子的
运动路径增 多个横长方形
长并不多, 片串联而成,
电阻增加的 片和片之间的
不多。 (a) L» b (b)Lb 金属导体将霍
尔电动势短路
图4-14 自由电子的运动轨迹的偏移 掉,电阻增加
的比较多
图4-15 圆盘形磁敏电阻(有磁场作用时)
实验证明圆盘形的磁阻最大,故磁敏电阻大多做
成圆盘结构。
2.磁敏电阻的基本特性
(a)S、N级之间的电阻特性 (b)电阻变化率特性
图4-16 磁敏电阻的灵敏度特性
磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的,且受温度的
影响较大。
(2)温度特性
半导体磁阻元件的温度特性不好。元件的电阻值在不大
的温度变化范围内减小的很快。因此,在应用时,一般都要设
计温度补偿电路。
图4-17 磁敏电阻温度特性
3、磁阻效应的应用
磁敏电阻角度传感器
磁编码器
磁敏电阻倾斜角传感器
*
接下来学习——磁电传感器
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