实验十一用霍尔效应法测定螺线管轴向磁感应强度分布.docxVIP

用霍尔效应法测定螺线管轴向磁感应 强度分布 一、实验目的 1、掌握测试霍尔器件的工作特性； 2、学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法； 3、学习用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。 二、实验仪器 TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪。 图 11-1 三、实验原理 1、霍尔效应法测量磁场原理 把一半导体薄片放在磁场中，并使片面垂直于磁场方向，如在薄片纵 向端面间通以电流，那么，在薄片横向端面间就产生一电势差，这种现象 叫做霍尔效应，所产生的电势差叫做霍尔电压，用以产生霍尔效应的半导 体片称为霍尔元件。 霍尔效应是由于运动的电荷在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生的， 如图（11-1）所示，当电子以速率 V%X轴的反方向从霍尔元件的 N端面向M端 面运动时，电子所受到的沿 Z轴方向、强度为B的磁场的作用力为 fB=-evB （11-1） 式中e为电子电量的绝对值。fB为电子受到的洛伦兹力，它使电子发生 偏移，从而在霍尔元件的 P端面聚积起正电荷，在 S端面积聚起负电荷，于 是在P、S端面间就形成一个电场 Eh,称为霍尔电场。霍尔电场又将产生阻 碍电子偏移的电场力f E ,当电子所受到的电场力与磁场力达到动态平衡时， 有 fE = fB 或 eEH = evB （11-2） 其中v为电子的漂移速度。这时，电子将沿 用由的反方向运动，但此时 已在p端面和s端面间形成一个电势差 VH,这就是霍尔电压。 设元件的宽度为b,厚度为d,电子浓度为n,则通过霍尔元件的电流为 I=-nevbd （11-3） 由（11-2）和（11-3）式可得 L - 1旧 C 旧 Vh = Eh b = = Rh —— （11-4） ne d d 即霍尔电压与 旧乘积成正比，与元件厚度 d及电子浓度n成反比，故采 用半导体材料做霍尔元件，并切割得很薄 （Z^0.2m*右）。其中比例系数 Rh 称为霍尔系数，若令 --=Kh，则 ne ned Vh=KhIB （11-5） 式中K为霍尔元件的灵敏度，其值已标在仪器上，它表示该器件在单位工作 电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压，它的单位取 I为mA B为KGS Vh 为mV则Kh的单位为mV/ （mAKGS 。由（11-5）式可知，若Kh为已知，用 仪器分别测出通过霍尔元件的工作电流 I及霍尔电压M,就可以算出磁感应 强度B的大小，这就是利用霍尔效应测量磁场的原理。 2、实验中产生的附加电压及消除办法 当对霍尔元件的P、S两端的电压进行测量时， 实际测得的不只是 Vh,还 包括其他因素带来的附加电压。下面讨论产生附加电压的原因及在实验中 消除这些附加电压的方法。 （1）由于霍尔元件材料本身的不均匀性，以及电压输出端 P、S两极引 线不可能是绝对对称地焊接在霍尔元件的两侧，当有电流 I流过霍尔元件 时，P、S两极将处于不同的等位面上，即使不加磁场， P、S两极间也存在 电势差称为不等位电势差，V0的正、负只与电流I的方向有关。 （2）从宏观上看，当载流子所受的磁场力 fB霍尔电场力f处到动态 平衡时载流子将以一定的速度 v 1X轴运动，而从微观来看，载流子的运动 速率不会完全相同。对于速率大于v的载流子有fB fE;对于速率小于v的 载流子有fB/v fE,它们将分别聚积在霍尔元件的 P端面与S端面。但由于 快速载流子的能量大，使得聚集快速载流子的端面温度高，相反的一面温 度低。于是在P、S之间将产生温差电压 M,它不仅随I的换向而换向，也随B的换向而换向。 (3)由于工作电流引线的焊点 M N处的电阻不会绝对相等，所以当电 流I通过时会在M N处产生不同的焦尔热，并因温差而产生电流，在磁场的 作用下，在P、S之间将产生类似于霍尔电压 VH的电压Vp,显然Vp随B的换向 而换向，而与I的换向无关。 (4)由于热扩散电流中的载流子速率不同，又将在 P、S之间引起附加 的温差电压VS, VS随B的换向而换向，而与I的换向无关。 综上所述，在通过霍尔元件的工作电流及外加磁场均为确定的情况下， 在P、S两端测得的电压V除霍尔电压Vh外，还包括 V Vt VP及M等，即 v=v+v+h+m+m (11-6 ) 因附加电压均与工作电流或磁场方向有关，故可采用改变工作电流方 向或磁场方向进行多次测量来消除附加电压。具体做法如下：第一次测量 时Vh、V Vt、Vp及Vs均取做正值，即+1、+B时，有： V =VH+VO+Vt+Vp+Vs (11-7) 第二次测量时I不变，瞅向，即+1、-B,则 V2=-VH+V)-Vt-Vp-Vs (11-8) 第三次测量时采取-1、- B,则 V3=VH-V0+Vt-Vp-Vs (11-9) 第四次测量采取-I、+B,则 V4=-VH-Vo-Vt +Vp+Vs (11-10) 由以上四式可得 . 1