尼曼 半导体物理及器件第八章.pptx

高等半导体物理(wùlǐ)与器件第八章 pn结二极管;pn结电流(diànliú) 产生-复合电流(diànliú)和大注入 pn结的小信号模型;（1）pn结内电荷(diànhè)流动的定性描述;pn 结加正偏Va，Va基本上全降落在耗尽区的势垒上 由于耗尽区中载流子浓度很小，与中性p区和n区的体电阻相比耗尽区电阻很大 势垒高度由平衡时的eVbi降到e(Vbi-Va) ；正向偏压Va产生的电场与内建电场反向，势垒区中电场强度减弱，相应(xiāngyīng)使空间电荷数量减少，势垒区宽度变窄。;产生净扩散流；电子：n区→p区，空穴(kōnɡ xué)：p区→n区 热平衡，载流子漂移与扩散的平衡被打破：势垒高度降低，势垒区电场减弱，漂移减弱，因而漂移小于扩散，产生净扩散流。;（2）理想(lǐxiǎng)的电流-电压关系;7;（3）边界条件;正偏，空间电荷区势垒高度降低，内建电场(diàn chǎng)减弱;偏置状态下p区空间电荷区边界处的非平衡少数载流子浓度;注入到p/n型区中的电子/空穴会进一步扩散和复合，因此公式给出的实际上是耗尽区边界处的非平衡少数载流子浓度。 上述边界条件虽是根据pn结正偏条件导出，但对反偏也适用(shìyòng)。因而当反偏足够高时，由边界条件可得，耗尽区边界少数载流子浓度基本为零。;正偏pn结耗尽区边界处少数(shǎoshù)载流子浓度的变化情况;（4）少数载流子分布(fēnbù) 假设：中性区内电场为0 无产生，稳态pn结，长pn结;边界条件;双极输运(shū yùn)方程的通解为：;由此，可得出pn结处于正偏和反偏时，耗尽(hào jìn)区边界处的少数载流子分布。;（5）理想pn结电流 第四个假设(jiǎshè) pn结电流为空穴电流和电子电流之和 空间电荷区内电子电流和空穴电流为定值;因此，耗尽(hào jìn)区靠近n型区一侧边界处空穴的扩散电流密度为：;类似(lèi sì)，耗尽区靠近p型区一侧边界处电子的扩散电流密度为：;上式为理想pn结电流(diànliú)-电压特性方程，可进一步定义Js：;pn结正偏电压(diànyā)远大于几个Vt时，上述电流-电压(diànyā)特性方程中的（-1）项可忽略。pn结二极管I-V特性及其电路符号如下图所示。;可见，少子扩散电流呈指数下降，而流过pn结的总电流不变，二者之差是多子(duō zǐ)电流。 p??区空穴电流 提供了穿过空间电荷区向n型区注入的空穴 提供了因与过剩少子电子复合而损失的空穴;下图显示了正偏下pn结内的理想电子(diànzǐ)电流与空穴电流成分。;温度效应对pn结二极管正、反向I-V特性的影响如下(rúxià)图所示：温度升高，一方面二极管反向饱和电流增大，另一方面二极管的正向导通电压下降。;（8）短二极管;x=xn处的边界条件仍为：;对于WnLp的条件(tiáojiàn)，将上式进一步简化：;势垒高度和载流子浓度的关系?偏压对空间电荷区边界处注入的非平衡载流子浓度的调制?理想pn结电流-电压关系。 正偏pn结，正偏电流大小(dàxiǎo)随正偏电压的增加而指数增加；反偏时，趋于饱和。 随温度升高，反偏饱和电流增大，相同正向电流偏压降低。 当pn结二极管中性区长度远小于扩散长度时为短二极管，扩散区缩短，扩散区内的复合作用可忽略。;8.2 产生-复合电流(diànliú)和大注入;;当空间电荷区中电子-空穴对产生之后，立即被耗尽(hào jìn)区中电场拉向两侧，形成pn结中的反偏产生电流，这个反偏产生电流与理想反偏饱和电流将构成pn结总的反向饱和电流。;定义载流子的平均寿命：τ0=(τp0+τn0)/2，则 负复合率即产生率，因此G为空间电荷区内电子与空穴的产生率。由下式可确定产生电流的密度： 假设空间电荷区内的产生电流为恒定(héngdìng)值，则 总反偏电流密度为理想反向饱和电流密度与反向产生电流密度的和，即 JS与反偏电压VR无关，但Jgen则是耗尽区宽度W的函数，而W又是VR的函数。因此，实际的反偏电流密度与VR有关。;反偏pn结耗尽区中，电子和空穴的浓度基本为零，而正偏pn结中，电子和空穴要通过空间电荷区实现少子注入，因此在空间电荷区中会存在(cúnzài)一定的过剩电子和过剩空穴，这些过剩电子和过剩空穴之间就会发生复合，形成耗尽区复合电流。;按照第6章中有关准费米能级(néngjí)的定义，有： 其中，EFn和EFp分别是电子和空穴的准费米能级(néngjí)。 由上图可知 其中，Va为外加正偏电压值。 假设Et=EFi，则n′=p′=ni。在空间电荷区的中心，有 此时，n、p的表达式改写为 又设τn0=τp0=τ0，则复合率表达式可写为;Rmax为正偏pn结中心处的电子(diànzǐ)与空穴的