硅酸镓镧介绍.pdfVIP

●硅酸镓镧单晶与其它压电材料的性能比较 ① SAW性能的比较 与石英相比， 硅酸镓镧晶体的机电耦合系数高两至三倍， 石英滤波器的带宽 在 1%以下，硅酸镓镧单晶滤波器的带宽在 10%左右，且温度特性几乎完全一样。 硅酸镓镧单晶与钽酸锂晶体相比，具有与钽酸锂晶体接近的机电耦合系数， 温度特性大大优于钽酸锂晶体， 而且由于硅酸镓镧单晶不是铁电体， 无热释电效 应，不需极化且不存在反畴区问题， 而且直到熔点温度前硅酸镓镧单晶都无相变， 消除了由于极化不完全或翻转而造成的器件性能劣化或完全失效的可能性。 硅酸 镓镧单晶的硬度适中，莫氏硬度为 5.5 ，不潮解且不易溶于常用酸和碱中，非常 利于晶片加工和器件制作。 同时，硅酸镓镧单晶具有低声散射、 体波干扰小的特 性，这又非常有利于 SAW器件的设计、 制作和声表面波性能的充分发挥， 减小器 件噪声；硅酸镓镧单晶还具有 SAW工艺不敏感性， 材料具有 SAW温度特性的自稳 定性，这又非常有利于 SAW器件性能重复性、 一致性， 如允许 SAW器件换能器的 膜厚有较大误差，也大大提高了器件的可靠性。 ② BAW性能的比较 与石英相比，硅酸镓镧频响更好，等效串联电阻更小，更大的谐振间隔；用 硅酸镓镧单晶谐振器与石英谐振器相比， 硅酸镓镧单晶谐振器甚至在高次谐振模 式的等效串联阻抗也比较小， 特别是石英谐振器高次谐振模式有较大的等效串联 阻抗而不能起振，而硅酸镓镧单晶谐振器即使是粗糙的表面也可以做较高次的谐 振。 ③硅酸镓镧与石英晶体关键性能比较如下： a. 声表面波性能比较 表 2-2 硅酸镓镧单晶与石英晶体 SAW性能 b. 工艺适应性比较 石英 LGS 备注 2 温 度 引 起 的 频 率 漂 移 TCSiO2=-0.032ppm/ C 80 170 2 （ppm，±50 C） TCLGS=-0.068ppm/ C 金 属 膜 厚 引 起 的 频 漂 305 100 （ppm） - 金 属 化 比 引 起 的 频 漂 90 25 （ppm） - 相 速 度 引 起 的 频 漂 50 120 （ppm） - 总频漂 （ppm） 525 415 - 表 2-3 典型切型（ YXLT/50°/25 °）的声表面波的频漂比较 c. 体声波性