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- 2021-11-13 发布于安徽
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退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 第四节 场效应晶体管(FET) 单极型晶体管 场效应管的特点: 输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化 分类: 结型(JFET)和绝缘栅型(MOS) 场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电,又称单极型晶体管。 结型:N沟道和P沟道 106-109 绝缘栅型(MOS):N沟道-耗尽型和增强型 1012 P沟道-耗尽型和增强型 一、结型场效应管(JFET) 1 结构与工作原理 (1)构成 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 漏源可以互换 两个PN结之间的N沟道 源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c; (2)工作原理 a.栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压? UGS(off) b.漏-源电压对漏极电流的影响 uGS>UGS(off)且不变,VDD增大,iD增大。 预夹断 uGD=UGS(off) VDD的增大,几乎全部用来克服沟道的电阻,iD几乎不变,进入恒流区,iD几乎仅仅决定于uGS。 uGDUGS(off) uGDUGS(off) 说明:当 时, 增大 几乎不变,即 几乎仅仅决定于 ,表现出 的恒流性和受控性。 思考 能否大于0? 所以说,场效应管为压控器件 由于工作时,G,S之间PN结反偏,所以输入电阻非常大。 (1)转移特性及特征方程 ①当UGS=0时,N沟道最宽,ID最大,记作IDSS,称最大饱和漏电流。 ②当UGS<0时,两个耗尽层加厚,ID成指数规律下降,其特征方程为 ③当 时,N沟道被夹断,ID≈0,管子截止。 2 结型场效应管的特性曲线 N·JFET的特性曲线 (2)漏极特性 可变电阻区、 漏极特性与BJT管的输出特性相仿,也分为四个区 饱和区、 击穿区 夹断区 夹断区 注意:非等间距的 P·JFET P·JFET的特性曲线 二、绝缘栅场效应管(MOS管) MOS管的特点 绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,栅极为金属铝,故又称为MOS管。 输入阻抗高、栅源电压可正可负、耐高温、易集成。 绝缘栅型(MOS):N沟道-耗尽型和增强型 P沟道-耗尽型和增强型 2. 绝缘栅型场效应管 uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 增强型管 大到一定值才开启 增强型MOS管uDS对iD的影响 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么? iD随uDS的增大而增大,可变电阻区 uGD=UGS(th),预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS,恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS>0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在uGS>0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 MOS管的特性 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种? uGS>0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? uGS<0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 三、场效应管的主要参数 1 直流参数 击穿电压 夹断电压 开启电压 饱和漏电流 直流输入电阻 2 微变等效电路及其参数 低频跨导 的定义式为 是转移特性曲线上某一点的切线的斜率, 与切点的位置密切相关。 S(西门子) ①在漏极特性上确定 ②在转移特性上求gm ③用计算法求gm 四、场效应管和双极型三极管的比较 双极型三极管 场效
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