KYN28A-12温度场部分(ANSOFT仿真).pdfVIP

某市级电业局开关柜项目汇报——温度场部分（ ANSOFT 仿真） 5 温度场分布 柜体的发热损耗来源于涡流损耗， 这些热量通过柜体表面的自然对流换热和热辐射 两种方式发散到周围环境。假设各种材料的热物性为常数，不随材料温度而改变。则温 度场的控制方程为： T T T T c Q t x x y y z z 式中 为材料的密度； 、 c 为材料的导热系数和比热； Q 为内热源强度。 在母排的外表面上应该满足对流和辐射边界条件 4 4 q n k T T T T c a a T k 上式中 a 是环境温度； 表示史蒂芬 - 玻尔兹曼常数； 表示母排表面的热发生率； c 表示母 排表面的对流换热系数； q表示热流密度矢量。 5.1 开关柜的热稳定时间 将涡流场计算得到的焦耳损耗作为热源导入，并设定相应的辐射边界条件，和对流散热边界条 件，分别计算了开关柜在环境温 度为 30度和 40度时的温度场 。通过对工作电流为 4000 时， 1000mm开 关柜的瞬态温度场计算，得出当时间为 1200s时，开关柜的温度场分布以及基本稳定。 T=200S时开关柜温度场分布 T=1000S 时开关柜温度场分布 T=1200S时开关柜温度场分布 T=3059S 时开关柜温度场分布 由以上图可以看出，当 T=1200S时，开关柜的温度场已经基本稳定。 5.2 母排的温度场分布 母排的焦耳损耗来源于源电流的电阻发热损耗和感应发热，母排的电阻包括载流导体电阻及接 触电阻。此时应注意： （1）集肤效应，对交流电流流过的导体，由于电流产生磁通的作用，在导体截面各部分的地阿 妈流密度是不平均的。 （2 ）邻近效应。对两个交流载流导体的并联导体，由于一个导体产生的磁通对另一个导体的作 用，使其电流密度分布不均匀，从而影响交流电阻及焦耳损耗。 计算母排的发热既要考虑涡流损耗又要考虑电流损耗，即 1 1 rr Q J J H H 2 2 以上各式中 H 是复磁场强度； J是复电流密度（上标“ ”表示复变化） ； 是电导率； 是角 r rr 频率； YY 是复磁导率的虚部， j ； H 是复磁场强度， E是电场强度。 当工作电流为 1250A、1600A、2000A、3150A、4000A时，母排和电流互感器温度场分布分别如图 6~图 10所示 。母排与断路器开关接触部分由于接触电阻造成的损耗较大，温度较高。当工作电流小 于2000A时，母排温升较小，平均温升小于 15度。当工作电流达到 3150A以上时，母排温升急剧增大， 当工作电流为 4000A时，母排平均温度超过 70度，触点位置温度接近 100度。