半导体物理：第五章 非平衡载流子.pdfVIP

第五章第五章非平衡载流子非平衡载流子 §§55.11 非平衡载流子的注入和复合非平衡载流子的注入和复合 §5.2 非平衡载流子的寿命 §5.3 准费米能级 §§55.44 复合理论复合理论 §§5.5 陷阱效应陷阱效应 §5.6 载流子的扩散运动 §§5.7 载流子的漂移运动载流子的漂移运动 §§5.85.8 连续性方程连续性方程 §§5.15.1 非平衡载流子的注入和复合非平衡载流子的注入和复合 • 非简并半导体处于平衡状态的判据非简并半导体处于平衡状态的判据： ⎛ E ⎞ n p NN NN exp −⎜⎜ gg ⎟⎟ n 22 0 0 v e ⎜⎜ k T ⎟⎟ i ⎝ 0 ⎠ •• 非平衡状态非平衡状态：：对半导体施加外界作用对半导体施加外界作用，，使半导体处使半导体处 于与热平衡状态偏离的状态。在非平衡状态下，载 流子浓度比平衡状态多出流子浓度比平衡状态多出一部分部分((ΔΔnn= ΔΔpp ）），，多出多出 的这一部分称为非平衡载流子。 Δn Δp ((小注入小注入））对于对于n型半导体型半导体ΔΔn n , ΔΔp PP 0 0 n= n0 p= Δp 非平衡少数载流子影响比较大。 (大注入）Δn = Δp (p + n ) 0 0 • 光注入引起的附加电阻率光注入引起的附加电阻率 Δσ Δnqqμμ +Δpqpqμμ Δpqpq((μμ +μμ )) nn pp nn pp • 观察方法： R很大很大， V=I(R+r) 光照引起附加电阻光照引起附加电阻。。小注入小注入 (Δn n ）Δσ＋σ ≈σ 0 0 0 11 11 −−ΔΔσσ ΔΔσσ Δρ − ≈− 2 + σ Δσ σ (σ +Δσ)σ σ 0 0 0 0 ΔV IΔr ΔV ∝Δr ∝Δρ ∝Δσ ∝Δp 光照后示波器上观察的电压的变化反映了非平衡少子的注入 •• 撤除光照后半导体的变化撤除光照后半导体的变化？？ 光照：平衡态非平衡态，产生复合，稳 定非平衡载流子定非平衡载流子 p=p0 p= Δp+p0 光照停（短暂时间内）：复合产生，产生 净复合净复合，，非平衡载流子消失非平衡载流子消失 平衡态平衡态。。 p= Δp+p0 p=p0 除了光照，非平衡载流子也可以通过电注入，如PN结等 §§55.22 非平衡载流子的寿命非平衡载流子的寿命 • 非平衡载流子的复合几率非平衡载流子的复合几率P ：单位时间内单位时间内，单位面单位面 积内的净复合消失掉的电子－空穴对的几率。 dΔp(t)