半导体物理：第7章 金属与半导体的接触.pdfVIP

第七章第七章金属与半导体的接触金属与半导体的接触 §7.1 金属半导体基础及其能级图 §7.2 金属半导体接触整流理论 §§77.33 少数载流子的注入与欧姆接触少数载流子的注入与欧姆接触 Metal N －Si 半导体物理 1 §§7.1 金属半导体接触及其能级图金属半导体接触及其能级图 金属与半导体的功函数 接触电势差 表面态对接触势垒的影响表面态对接触势垒的影响 Metal N －Si 半导体物理 2 功函数功函数((workk ffunctition)) 功函数功函数：真空能级真空能级EE 和费米能级和费米能级EE 之差之差 0 F W E −E 光电效应 0 F 半导体的( 电子)亲和能χ：真空能级E 和导带底 0 EEC之间的能量差之间的能量差 χ EE 0 −EE C E0 E0 χ Ws W m EC EEff • • EEf • • • • • • • • • • E V W E −E M 0 F W E −E S 0 F 半导体物理 3 金属金属－半导体功函数半导体功函数 χ E 0 −E C 电子亲和能 χ：电子脱离导带到真空能级的所需的能 量量，是半导体本身的性质是半导体本身的性质，和掺杂无关和掺杂无关。 Ws ：半导体的功函数，随杂质浓度改变而 变化变化。 Si的电子亲和能：4.05eV