半导体制造工艺教案9掺杂模板.docVIP

半导系统造工艺教课设计9-混杂模板 半导系统造工艺教课设计9-混杂模板 PAGE / NUMPAGES 半导系统造工艺教课设计9-混杂模板 课题序号 2 讲课班级 075电子 1、2 讲课课时 8 讲课形式 讲解 讲课章节 主题 9：混杂 名 称 使用教具 多媒体 1、掌握常有混杂方式：扩散、离子注入 2、掌握离子注入工艺 3、认识离子注入的应用 教课目标 4、认识混杂质量控制 教 学 重 点 离子注入工艺 混杂质量控制 教课难点 更新、补 充、删省 内 容 课外作业 教课后记 讲课主要内容或板书设计 9.1 概括 9.2 扩散 9.3 离子注入 9.4 离子注入机 9.5 离子注入工艺 9.6 离子注入的应用 9.7 混杂质量控制 讲堂教课安排 教 学 过 主要教课内容及步骤 程 导入 在前面已经介绍了在半导体中哪怕引入一点点杂质也会大大改变半导体的导 电性。本章就要介绍给半导体引入指定杂质的工艺过程，也就是混杂。混杂的 目的就是改变半导体的导电种类， 形成 N 型层或 P 型层，以形成 PN 结和各样 半导体器件，进而形成半导体集成电路；或改变资料的电导率。经过混杂，杂 质原子将要取代原资猜中的部分原子，资料的导电种类决定于杂质的化合价， 如硅中掺入五价的磷（施主杂质）将成为 N 型半导体，掺入三价的硼（受主杂 质）将成为 P 型半导体。 新授 9.1.2 混杂的两种方法 混杂的方法有两种：热扩散和离子注入。热扩散法是最早使用也是最简单 的混杂工艺，热扩散是利用高温驱动杂质进入半导体的晶格中，并使杂质在半 导体衬底中扩散。这类方法对温度和时间的依靠性很强。于 20 世纪 50 年月开始研究， 20 世纪 70 年月进入工业应用阶段，跟着 VLSI 超精美加工技术的发 展，现已成为各样半导体混杂和注入隔绝的主流技术。离子注入是经过把杂质离子变为高能离子来轰击衬底，进而把杂质注入到半导体衬底中的混杂方法。 混杂工艺流程 半导系统造中的污染无时无刻不在， 所以混杂以前要对衬底进行冲洗等前办理。大多数的混杂是在半导体衬底中指定的地区混杂——选择性混杂，也就 是有些地区需要混杂，其余地区不混杂。如何实现选择性混杂呢？那就是在掺 杂以前在半导体衬底表面生长一层遮蔽膜 （这层遮蔽膜拥有阻拦杂质向半导体衬底中扩散的能力） ，而后对遮蔽膜进行光刻和刻蚀，去掉衬底上边待混杂地区的遮蔽膜，不混杂地区的遮蔽膜要保存下来，获取选择扩散窗口。而后放入 高温扩散炉中进行混杂，则在窗口区就能够向半导体衬底中扩散杂质，其余地区被遮蔽膜障蔽，没有杂质进入，实现对半导体衬底中的选择性扩散。混杂完 成后要进行检测。图是在 N 型衬底中掺入受主杂质形成 P 型混杂区的流程图。 混杂工艺流程 扩散原理 扩散是物质的一个基天性质，原子、分子和离子都会从高浓度向低浓度处 进行扩散运动。一种物质向另一种物质发生扩散运动需知足两个基本条件：第一有浓度差；第二供给足够的能量使物质进行扩散。在半导系统造中，利用高温热能使杂质扩散到半导体衬底中。 1.扩散体制 杂质在硅晶体中的扩散机构 2.扩散系数 3.杂质浓度散布 扩散表示图 杂质浓度散布 4.结深 5.遮蔽膜 6.固溶度 扩散工艺步骤 9.2 前面已经介绍了扩散工艺流程， 在这个流程中， 前 3 步为扩散混杂的晶圆准备， 同时在扩散混杂前要进行设施准备，即包含设施检测、设施洁净、工艺菜单、升温并达到指定的温度散布等。 1.上料模式 两种上料模式 9.2 2.扩漫步骤 1)预淀积扩散：预淀积是恒定表面源扩散，即扩散炉中的杂质气体浓度保持恒 定不变，这样裸露在杂质气体中的半导体晶圆表面杂质浓度 变。 2)再散布扩散：再分步又叫推动，是限制源浓度扩散。  NS 也保持恒定不 3.评估 4.横向扩散 扩散的理想状况与横向扩散 9.2 扩散设施、工艺参数及其控制 半导体设施发展很快，扩散设施已经智能化。图常叫扩散炉）。  9?8 是一款扩散设施外观（通 扩散设施外观 1.扩散设施 扩散设施——单管控制构造图 (1)技术指标 1)合用硅片： Φ 100mm、 Φ 150mm 、 Φ 200mm、 Φ300mm。 2)炉管数目： 1~4 管 (由客户定 )。 3)净化工作台：台面采纳入口不锈钢面板。 4)气路流量计：标配为浮子流量计，可选件为质量流量计： 5)气密性指标：阀门压力调理到 29psi(1psi=6.895kPa) ，24h 后压力减小到不大 于 1.4psi(1psi=6.895kPa) 。 6)气路管件：采纳内抛光不锈钢气路管线及优良阀门 ,SWAGELOK 接口。 7)工作温度范围： 600~1300 ℃。 8)温度传感器： S 型热电偶。 9)长久工作温度： 1200~1286 ℃。 10)