[工学]第九章 MOS集成电路.pptVIP

第9章 MOS集成电路;内容提要;9-1 MOS IC的主要特点;二、NMOS的特点;三、分析方法的特点;9-2 MOS 倒相器;;;;9-3 饱和负载E／EMOS倒相器;500 400 300 200 100 40 0;二、特性分析;?;;?;3、直流噪容：和TTL电路类似;例题：;?;三、非饱和和自举MOS倒相器;;在输入电平由高变为低时，输出电平上升，但是CB两端的电压不可能突变，所以VGL将随VOL的升高而升高，这就是自举效应。随着VGL上升，TB截止，CB上的电荷量CB*VGSL保持不变，这表明在自举过程中，TL处于固定的栅源偏置状态。 在自举过程开始时，VGL比VDL低一个VTE，TL处于饱和导通状态。当VOL上升达到甚至超过2VTB时，由于VGSL保持不变，故VGL上升达到VDD+VTEVDL，于是TL转入非饱和导通态。;9-4 E/D MOS的倒相器;VDD;传输特性;;9-5 CMOS IC;9-5-1 CMOS倒相器;二、直流传输特性 电流方程：;画出电压传输曲线并分区,分区线是Vi-VTN=VO, Vi-VTP=VO, Vi=VTN, Vi=VDD+VTP，分成5个区;三、噪容;四、功耗特性;;;;问题解答?