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PAGE PAGE 1 全控型电力电子器件 - 电子技术 依据电力电子器件的受控方式，可将其分为不行控、半可控和全控器件三类。  不行控器件：器件本身没有导通、关断把握力量，需要依据电路条件打算其导通、关断状态，如整流二极管。  半可控器件：通过把握信号只能把握其导通，不能把握其关断，如一般晶闸管、双向晶闸管等。  全控器件：通过把握信号既可把握其导通又可把握其关断。如门极可关断晶闸管GTO、大功率晶体管GTR、功率MOSFET、绝缘栅双极晶体管IGBT等均属于全控型器件。  一、门极可关断晶闸管GTO  门极可关断晶闸管GTO (Gate-Turn-Off Thyristor )，其门极可以把握器件的开通和关断。GTO的很多性能虽然与绝缘栅双极晶体管、电力场效应晶体管等全控型器件相比要差一些，但其具有同一般晶闸管相近的耐受电压高、电流容量大、浪涌承受力量比其他电力电子器件高等优点。因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。例如用作大中容量10kHz 以下的逆变器和斩波器的主要开关器件。    1、GTO的图形符号  如图1所示。  2、导通与关断条件  其导通条件与一般晶闸管相同。  关断条件：门极施加负压。  3、GTO 的主要参数：  GTO的参数大多都与一般晶闸管相应的参数定义相同。这里只对一些意义不同的参数作一介绍。  1) 最大可关断阳极电流IATO  它是GTO的额定电流参数。而一般晶闸管是用通态平均电流作为额定电流的。  2) 电流关断增益βoff  最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM 的确定值之比称为电流关断增益，一般βoff≈5~10，值很小，所以，要关断GTO 所需要的门极负脉冲电流应大于(1/10~1/5)IATO。这也是GTO 的一个主要不足。  二、大功率晶体管GTR  1、大功率晶体管的结构和特性  通常把集电极最大允许耗散功率在1W以上，或最大集电极电流在1A以上的三极管称为大功率晶体管，其结构和工作原理都和小功率晶体管格外相像。由三层半导体、两个PN结组成，有PNP和NPN两种结构。  一些常见大功率晶体三极管的外形如图2所示。从图可见，大功率晶体三极管的外形除体积比较大外，其外壳上都有安装孔或安装螺钉，便于将三极管安装在外加的散热器上。由于对大功率三极管来讲，单靠外壳散热是远远不够的。例如，50W的硅低频大功率晶体三极管，假如不加散热器工作，其最大允许耗散功率仅为2—3W。   图2 常见大功率三极管外形  在电力电子技术中，GTR主要工作于导通和截止的开关状态，通常接受共放射极接法。其特性和主要参数与模电课程中所学三极管相同，如工作区有截止区、放大区、饱和区。极限参数最高工作电压、最大工作电流和最大耗散功率构成了平安工作区，即等一次击穿工作区，如图3所示。  2、GTR的二次击穿  实践表明，GTR即使工作在最大耗散功率范围内，仍有可能突然损坏，其缘由一般是由二次击穿引起的，二次击穿是影响GTR平安牢靠工作的一项重要因素。  二次击穿是由于集电极电压上升到肯定值（未达到极限值）时，发生雪崩效应造成的。照理，只要功耗不超过极限，管子是可以承受的，但是在实际使用中，消灭负阻效应，Ie进一步剧增。由于管子结面的缺陷、结构参数的不均匀，使局部电流密度剧增，形成恶性循环，使管子损坏。  二次击穿的持续时间在纳秒到微秒之间完成，由于管子的材料、工艺等因素的分散性，二次击穿难以计算和猜测。防止二次击穿的方法是：①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必需有电压电流缓冲爱护措施（如图4所示）。  以USB（二次击穿电压）与ISB（二次击穿电流）组成的PSB（二次击穿功率）如图3中虚线所示，它是一个不等功率曲线。以3DD8E晶体管测试数据为例，其PcM=100W，BUceo≥200V，但由于受到击穿的限制，当Uce=100V时，PSB为60W，Uce=200V时PSB仅为28W！所以，为了防止二次击穿，要选用足够大功率的管子，实际使用的最高电压通常比管子的极限电压低很多。  平安工作区是在肯定的温度条件下得出的，例如环境温度25℃或壳温75℃等，使用时若超过上述指定温度值，允许功耗和二次击穿耐量都必需降额。   图3 GTR平安工作区    （a） （b） （c）  图4 GTR的缓冲爱护电路  3、GTR的驱动  ①对基极驱动电路的要求  由于GTR主电路电压较高，把握电路电压较低，所以应实现主电路与把握电路间的电隔离。  在使GTR导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有肯定