计算机组成与结构体系英文课件：Chapter 8 – The Memory System - 1.pptVIP

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2022-04-19 发布于安徽
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计算机组成与结构体系英文课件：Chapter 8 – The Memory System - 1.ppt

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Semiconductor RAM Memories (40) Structure of Larger Memories (ctd.) Static Memory Systems (ctd.) 例：（补充） CPU的地址总线16根（A15~A0，A0为低位），双向数据总线8根（D7 ~ D0），控制总线中与主存有关的信号有（允许访存，低电平有效），（高电平为读命令，低电平为写命令）。主存地址空间分配如下：0000H—3FFFH为系统程序区，由只读存储芯片组成；4000H－4FFFH为系统程序工作区，由SRAM组成；6000H—9FFFH为用户程序区，也由SRAM组成。按字节编址。现有如下存储器芯片： EPROM：8K×8位（控制端仅有 CS ） SRAM：16K×1位，2K×8位，4K×8位，8K×8位请从上述芯片中选择适当芯片设计该计算机主存储器，画出主存储器逻辑框图，注意画出选片逻辑（可选用门电路及3:8译码器74LS138）与CPU的连接，说明选哪些存储器芯片及选多少片。 Semiconductor RAM Memories (41) Structure of Larger Memories (ctd.) Static Memory Systems (ctd.) 例：(ctd.) 【解】主存地址空间分布: 0000H 3FFFH FFFFH 4FFFH 9FFFH 16KB(EPROM) 4KB(SRAM) 4KB(空) 16KB(SRAM) 24KB(空) 4000H 6000H A000H ～～～～ ... ... D 0 D 7 R/W A 0 A 10 A 11 A 12 A 13 A 14 A 15 MREQ ... 7 D A A 8 0 0 12 EPROM D KB CS ... D 7 D 0 A 0 A 12 SRAM 8KB CS ... D 7 D 0 A 0 A 12 SRAM 8 KB CS ... ... D 7 D 0 A 0 A 11 SRAM 4 KB CS ... D 7 D 0 A 0 A 12 EPROM 8 KB CS R/W R/W Y 0 Y 1 Y 2 Y 3 Y 4 Y 5 Y 6 Y 7 A B C G 2B G 2A CPU 74LS138 Semiconductor RAM Memories (42) Structure of Larger Memories (ctd.) Dynamic Memory Systems The organization of large dynamic memory systems is essentially the same as the above static memory system. SIMM ( Single In-line Memory Modules) A SIMM is a basic DRAM packaging type that fits most older systems. Single-sided: RAM chips on one side only Double-sided: RAM chips on both sides 30-pin SIMM: 256KB,1MB,4MB,16MB;8 bits;plus 1bit for parity;single-sided 72-pin SIMM: 1MB, 4MB, 16MB (single-sided); 2MB, 8MB, 32MB (double-sided); 32 bits, plus 4 bits for parity/ECC. Semiconductor RAM Memories (43) Structure of Larger Memories (ctd.) Dynamic Memory Systems (ctd.) DIMM ( Double In-line Memory Modules) At present, DIMMs are the standard way for memory to be packaged. A DIMM is capable of delivering 64 data bits at once. Differences between SIMM and DIMM DIMMs have separate electrical contacts on each side of the module, while the contacts o