第4章常用电子元器件的识别与测试.pptVIP

达林顿管的结构 达林顿管外形 第九十四页，共一百三十九页。 达林顿管参数 第九十五页，共一百三十九页。 单结晶体管 单结晶体管的应用 第九十六页，共一百三十九页。 第九十七页，共一百三十九页。 3、场效应管 场效应三极管简称场效应管，它也是由半导体材料制成的。与普通双极型三极管相比，场效应管（单极型晶体管）具有很多特点。 场效应管是电压控制器件，它的输出电流决定于输入信号电压的大小，管子的电流受控于栅源之间的电压（ ）。场效应管栅极的输入电阻很高，可达109～1015Ω，对栅极基本上不取电流，这是普通双极型三极管无法与之相比的。场效应管还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、动态范围大等特点，使场效应晶体管的应用范围十分广泛。 场效应管的三个电极分别称为：漏极（D）、源极（S）、栅极（G），也可类比为双极型三极管的e、c、b三极。场效应管的漏极（D）、源极（S）能够互换使用（衬底不和源极连接，则不能再互换）。 第九十八页，共一百三十九页。 日本： A B C D 1—1结管 2---2结管 S—本电子工业协会注册代号 材料/类型 A、B、C、D 注册顺序号 2位以上整数 A B PNP C D NPN 高频 低频 例如：2SD8201A—低频NPN管，A—表示改进型—D8201A 美国： A B C 1—1结管 2—2结管 N—美国电子工业协会 数字 注册顺序号 欧洲： A B C A：硅管 B：锗管 C D F L 三位数字 C D 低频 F L 高频 小功率 大功率 S—小功率开关管 U—大功率开关管 例如：BU208A—硅大功率开关管 韩国： 四位数字表示 第六十二页，共一百三十九页。 第六十三页，共一百三十九页。 第六十四页，共一百三十九页。 第六十五页，共一百三十九页。 1、半导体二极管 （1）半导体二极管的结构 用一定的工艺方法把P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，就会在其交界面处形成空间电荷区叫PN结。 当PN结两端加上正向电压时，即外加电压的正极接P区，负极接N区，此时PN结呈导通状态，形成较大的电流，其呈现的电阻很小（称正向电阻）。 当PN结两端加上反向电压时，即外加电压的正极接N区，负极接P区，此时PN结呈截止状态，几乎没有电流通过，其呈现的电阻很大（称反向电阻），远远大于正向电阻。 第六十六页，共一百三十九页。 理论知识 为温度的电压当量 第六十七页，共一百三十九页。 当PN结两端加上不同极性的直流电压时，其导电性能将产生很大差异。这就是PN结的单向导电性，它是PN结的最重要的电特性。 在一个PN结上，由P区和N区各引出一个电极，用金属、塑料或玻璃管壳封装后，即构成一个半导体二极管。由P型半导体上引出的电极叫正极；由N型半导体上引出的电极叫负极，如图所示。 正极 负极 PN结 P N 二极管的结构 第六十八页，共一百三十九页。 （2）半导体二极管的分类 按材料分类有：锗（ ）二极管、硅（ ）二极管等。 锗二极管与硅二极管性能主要区别在于：锗管正向压降比硅管小（锗管为0.2～0.3V，硅管为0.6～0.7V），锗管的反向电流比硅管大（锗管为几百毫安，硅管小于1μA）。 按制作工艺分类有：面接触二极管和点接触二极管。 按用途分类有：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管等。 常见二极管的外形 第六十九页，共一百三十九页。 （3）各种二极管的电路符号 二极管的电路符号 一般二极管 稳压二极管 发光二极管 变容二极管 光电二极管 隧道二极管 雪崩二极管 （4）半导体二极管的主要参数 最大整流电流：是指长期工作时，允许通过的最大正向电流值。使用时不能超过此值，否则二极管会发热而烧毁。 最高反向工作电压：是指防止击穿，使用时反向电压极限值。 第七十页，共一百三十九页。 检波二极管参数 第七十一页，共一百三十九页。 整流二极管参数 第七十二页，共一百三十九页。 变容二极管参数 第七十三页，共一百三十九页。 玻封硅开关二极管参数 第七十四页，共一百三十九页。 稳压二极管参数 第七十五页，共一百三十九页。 第七十六页，共一百三十九页。 红外发光二极管参数 第七十七页，共一百三十九页。 变色发光二极管参数 第七十八页，共一百三十九页。 阻尼二极管参数 第七十九页，共一百