电力电子器件概述.ppt

1.6.1 概述 图1-25 光耦合器的类型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型 第六十三页，共九十页。 例如：流经晶闸管的电流波形如图所示。试计算该电流波形的平均值、有效值及波形系数。若取安全裕量为2，问额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的平均值及最大值为多少？ 0 π 2π π/3 ωt i 第三十一页，共九十页。 第三十二页，共九十页。 ⑵ 维持电流IH 使晶闸管维持通态所必需的最小主电流。 ⑶ 擎住电流IL ⑷ 浪涌电流ITSM 这个参数可用来作为设计保护电路的依据。 第三十三页，共九十页。 3. 动态参数 断态电压临界上升率du/dt: 不导致从断态到通态转换的最大主电压上升率。 通态电流临界上升率di/dt: 晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 第三十四页，共九十页。 1.3.4 晶闸管的派生器件 1. 快速晶闸管FST 逆变器和斩波器 （400HZ） 关断时间短、反响恢复电荷少、开通时间短、 耐du/dt和di/dt能力高。 第三十五页，共九十页。 2. 双向晶闸管TRIAC ⑴可认为是一对反并 联联接的普通晶闸 管的集成。 ⑵有两个主电极T1和 T2，一个门极G。 ⑶在第Ｉ和第III象限 有对称的伏安特性。 ⑷不用平均值而用有 效值来表示其额定 电流值。 第三十六页，共九十页。 3. 逆导晶闸管 RCT 正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高。 元件数目减少、装置体积缩小、重量减轻、价格降低、配线简单、经济性好。 第三十七页，共九十页。 4. 光控晶闸管LTT ⑴又称光触发晶闸 管，是利用一定 波长的光照信号 触发导通的晶闸 管。 ⑵光触发保证了主 电路与控制电路 之间的绝缘，且 可避免电磁干扰 的影响。 ⑶在高压大功率的 场合占有重要地位。 第三十八页，共九十页。 1.4 典型全控型器件 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、 电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 第三十九页，共九十页。 1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO) 1. GTO的结构和工作原理 第四十页，共九十页。 (a1+a2)=1 临界导通 (a1+a2) ＞ 1 (a1+a2) ＜ 1 器件饱和导通 关断 ⑴ a2较大，V2控制灵敏，GTO易关断。 第四十一页，共九十页。 ⑵ 使(a1+a2)更接近于1， (a1+a2)≈1.05 ⑶ GTO元阴极面积很小 第四十二页，共九十页。 ⑴GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 ⑵GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 ⑶多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 结论： 第四十三页，共九十页。 2. GTO的动态特性 第四十四页，共九十页。 3. GTO的主要参数 ⑴ 开通时间ton 1～2?s ⑵ 关断时间toff 2?s ⑶ 最大可关断阳极电流IATO——GTO额定电流。 ⑷ 电流关断增益?off 第四十五页，共九十页。 1.4.2 电力晶体管(GTR) 1. GTR的结构和工作原理 2. GTR的基本特性 静态特性 b c e b c e 第四十六页，共九十页。 动态特性 开关时间在几微秒以内 第四十七页，共九十页。 3. GTR的主要参数 ⑴ 最高工作电压 ⑵ 集电极最大允许电流ICM ⑶ 集电极最大耗散功率PCM 第四十八页，共九十页。 4. GTR的二次击穿现象与安全工作区 第四十九页，共九十页。 1.4.3电力场效应晶体管 (MOSFET) 栅极的静态内阻极高、驱动功率小、自行关断、不存在二次击穿、开关速度快、工作频率高、热稳定性好。 电流容量小、耐压低（10kW） 第五十页，共九十页。 1.电力MOSFET的结构和工作原理 N沟道增强型 第五十一页，共九十页。 2. 电力MOSFET的基本特性 ⑴静态特性 第五十二页，共九十页。 ⑵动态特性 开通过程 关断过程 开关时间 10～100ns 工作频率100KHZ以上 第五十三页，共九十页。 (3)电力MOSFET的主要参数 ①漏极电压UDS ②?漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM ③栅源电压UGS ——电力MOSFET电压定额 ——电力MOSFET电流定额 —— ?UGS?20V将导致绝缘层击穿 。 ④极间电容 ——极间电容CGS、CGD和CDS 第五十四页，共九十页。 ⑷ MOSF