《半导体器件》习题与参考.docVIP

第二章 一个硅p－n扩散结在p型一侧为线性缓变结，a=1019cm-4，n型一侧为均匀混杂，杂质浓度为3×1014cm－3，在零偏压下p型一侧的耗尽层宽度为0.8μm， 求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。 解：d2 qax,(xp x 0) dx2 S d2 qND ,(0 x xn) dx2 S (x) d qa(x2 xp2),xp x0 dx 2 S (x) d qND(x xn),0 x xn dx S x＝0处E连续得x＝1.07μm n x =x μ 总 n p Vbi 0 xn E(x)dx 0.516V E(x)dx 0 xp Emax qa ( x2p) 4.82 105V/m,负号表示方向为n型一侧指向p型一侧。 2S 一个理想的p-n结，ND＝1018cm－3，NA＝1016cm－3，τp＝τn＝10－6s，器件的面积为1.2×10－5cm－2，计算300K下饱和电流的理论值，±0.7V时的正向和反向电流。 解：Dp＝9cm2/s，Dn＝6cm2/s Lp Dpp 3103cm，Ln Dnn2.45103cm JS qDppn0 qDnnp0 Lp Ln IS=A*JS=1.0*10-16A。 0.7V时，I＝49.3μA，－0.7V时，I＝1.0*10-16A 3关于理想的硅p+-n突变结，ND＝1016cm－3，在1V正向偏压下，求n型中性