一种具有N埋层的AlGaNGaN高电子迁移率晶体管.docx

近年来,人们对以GaN为代表的第三代半导体材料进行了大量的研究[1,2]。由于GaN材料具有许多优异性能,例如高的临界击穿电场、宽的禁带宽度、低的导通电阻和高的电子迁移率等,因此AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron Mobility Transistor,HEMT)在多个领域得到了广泛的应用[3,4,5,6,7,8]。然而,与传统的硅基半导体器件相比,GaN基半导体器件依然存在一些问题需要解决,其优良特性还没有完全发挥出来[9]。 为了提高AlGaN/GaN HEMT的击穿电压(Breakdown Voltage, BV),发挥出GaN材料的耐高压特性,国内外研究人