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6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;图6.1 金属-氧化物-半导体电容;; ?F的正负和大小与Si衬底的导电类型和掺杂浓度有关;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;正常情况下，MOS电容背面接地，VG定义为加在栅上的直流偏置。 由于在静态偏置条件下没有电流流过器件，所以费米能级不受偏置的影响，且不随位置变化。 半导体体内始终保持平衡，与MOS栅上加电压与否无关 所加偏置VG引起器件两端费米能级移动：EFM-EFS=-qVG VG?0导致器件内部有电势差，引起能带弯曲。金属是等势体，无能带弯曲。绝缘体中的电场为匀强电场，电势和电势能是位置x的线性函数， VG? 0，绝缘体和半导体中的能带向上倾斜，反之，向下倾斜。 在半导体体内，能带弯曲消失。;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;;3.VG0;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;5.VGVT时, 表面少数载流子浓度超过多数载流子浓度，这种情况称为“反型”。 ;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;n型MOS电容的不同偏置下的能带图和对应的电荷块图;结 论;结 论;例题：两个理想MOS电容的电荷块图分布如下图所示，对每 一种情况：完成以下三个问题： （1） 半导体是n型还是p型 （2）器件偏置模式是积累、耗尽还是反型？ （3）画出该电荷块图对应的MOS电容能带 （4）画出该结构的高频C-V特性曲线，并在图中用符号“?”标出与该电荷块图相对应的点（3分）; MOS电容的静电特性;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 ;6.2 理想MOS电容器;6.2 理想MOS电容器 ; MOS中无直流电流流过，所以MOS电容中最重要的特性就是C-V特性，把理想C-V特性曲线和实测C-V曲线比较，可以判断实际MOS电容与理想情况的偏差。而且在MOS器件制备中，MOS电容的C-V特性检测也常作为一种常规的工艺检测手段。 ;6.2 理想MOS电容器 ;若令;6.2 理想MOS电容器 ;对于理想MOS系统，绝缘层单位面积电容： ? ;6.2 理想MOS电容器 ;6.2 理想MOS电容器 ;MOS系统的电容C基本上等于绝缘体电容C0。当负偏压的数值逐渐减少时，空间电荷区积累的电子数随之减少，并且Qs随?s 的变化也逐渐减慢，Cs 变小。总电容 C也就变小。;平带情况（ VG =0） ;6.2 理想MOS电容器 ;6.2 理想MOS电容器 ;在耗尽区xd随VG的增大而增大，所以C随VG的增大而减小 VG从0→VT，xd从0 →xdm，Cdep从CO →CT;6.2 理想MOS电容器 ;6.2 理想MOS电容器 ;6.2 理想MOS电容器 ;反型 直流偏置使xd=xdm，O-S界面堆积很多少子，少子的产生过程很慢。在交流信号作用下 平衡栅电荷的变化→少子电荷的变化， → 耗尽层宽度的变化， 究竟哪一种电荷起主要作用呢？ 低频??0， 少子的产生和消除跟得上交流信号的变化，此时如同在积累情况 ;6.2 理想MOS电容器 ;;6.2 理想MOS电容器 ;例1：;例2理想MOS-C结构的C-V特性图和能带图如下图所示，则与C-V特性图上各点对应的能带图为;例3 下图是一个工作在T=300K、VG?0的理想MOS电容能带图，在硅-二氧化硅界 面处EF=Ei。 （1）?F=？ （2）? s=？ （3）VG=? (4) 画出对应于该能带图的电荷块分布图。 （5）画出所给MOS电容的低频C-V特性曲线的大致形状，用符号?大致标出与该能带图所给状态对应的点。;6.2 理想MOS电容器 ; 例4.T=300K下的理想MOS电容，x0=0.2?m,其能带图如图所示。所施加的栅极偏压使得能带弯曲，在Si-SiO2界面EF=Ei。回答下列问题： （a）画出半导体内部的静电势?作为空间位置函数的曲线 （b）粗略的画出半导体内部以及氧化层内部的电场E作为空 间位置函数的曲线 （c）半导体达到平衡了吗？为什么 （d）粗略的画出半导体内部电子浓度随位置变化的曲线 （e） Si-SiO2表面的电子浓度是多少 ;（f） ND=? (