半导体器件的材料物理基础.pptVIP

IZ 稳压电源： U + － DZ RL Rs I IRL IZ 电压增加 URL UZ IZ I US 电压减小 URL UZ I US 电压不变 I? ? US? ? UZ? ? IZ ? I＝IZ + IRL 问题讨论 爱因斯坦关系中，扩散系数D，载流子的扩散 载流子饱和速度公式 电阻率与击穿电压的关系 雪崩击穿电压与轻参杂的n型材料的电阻率关系 其中因子m和幂指数n对不同的器件制造工艺和材料电阻率略有些变化。 第三节 少数载流子寿命 载流子寿命的概念 少数载流子寿命与器件特性 载流子的复合及复合寿命 载流子寿命的概念 是半导体从载流子密度不平衡状态恢复到热平衡状态的弛豫过程所需时间的量度。 一般情况下额外载流子的注入和抽取对少数载流子的密度影响很大，热平衡的恢复主要是少数载流子热平衡的恢复，所以τ总被称作少数载流子寿命。 少子寿命与器件特性 半导体器件工作过程中，同时存在载流子漂移、扩散、复合； 漂移：电场力的作用，外加或内建电场； 扩散：载流子浓度梯度； 与少子寿命相关的器件特性：阻断特性、开关特性、导通特性等； 少子寿命与阻断特性 耗尽近似的空间电荷区是阻断作用的主功能区，是不稳定的非平衡态，其恢复平衡态的趋势的强弱（用少子寿命τ衡量），影响阻断特性； 由反向扩散电流： τ越大，反向扩散电流越小，阻断特性越好； 少子寿命与导通特性 少子寿命对导通特性的影响，主要是双极器件； 少子的电导调制使器件具有低的电阻和高的电流控制能力； 由上式可知：τ越长，电导调制越强； 少子寿命与开关特性 主要是对于依靠少子输运的双极器件而言的； 输运载流子的结区积聚效应； 反抽作用； 少子寿命与光电器件的特性 太阳能之类的光生器件靠光生载流子输运，故τ越长，光电特性越好； 少子寿命优选 开关特性要求τ小，阻断特性、导通特性和光电池要求τ大； 故应根据器件特性，进行优选； 优选少子寿命，主要是是指选择合适的复合中心，即杂质或缺陷中心的能级； 非平衡载流子的复合机制 直接复合：直接在导带与价带之间的复合； 间接复合：通过禁带中的复合中心的复合； 表面复合：发生在表面的复合； 复合过程中的能量转移 发射光子，即辐射复合； 发射声子，能量传递给晶格振动。多声子复合； 激发另外的电子或空穴，即俄歇复合； 直接复合寿命 直接禁带复合快于间接禁带； 直接禁带型半导体材料的价带顶空穴和导带底电子之间无动量差，它们越过禁带直接复合无需借助声子保持动量平衡，所以直接复合型半导体比间接禁带型半导体的直接复合系数B大得多 直接复合寿命 寿命： 其中，B为直接辐射复合系数： 间接复合寿命 俄歇复合寿命 小注入的俄歇复合寿命 多种复合共同作用的寿命 不可能只有一种机构独立作用，即使多种机构共存，往往只有一种其主要作用； 稳压二极管 大连理工大学 物理与光电工程学院 张贺秋 二极管分类 硅二极管和锗二极管 1、导通电压 2、导通后 3、反向漏电流 4、击穿电压 5、热稳定性 D 阳极 阴极 二极管分类 点接触二极管 小功率整流、高频检波等 面接触二极管 低频大功率整流 稳压二极管——齐纳二极管zener diode——DZ DZ 阳极 阴极 工作原理 利用二极管反向击穿特性实现稳压。 二极管反向击穿机制 1、热不稳定性； 反向大电压 产生焦耳热 反向电流 器件温度升高 不可恢复的，器件完全损坏。 二极管反向击穿机制 2、齐纳击穿（隧穿击穿） P N EC EV 热平衡 EF P N EC EV EF _ + － ?V?4Eg/q 二极管反向击穿机制 3、雪崩击穿 ?V?6Eg/q 主要参数： + - U/V I/mA 稳定电压 UZ 稳定电流IZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 最大稳定电流IZmax 最小稳定电流IZmin 最大耗散功率： PZmax = UZIZmax PZ = UZIZ PZ PZmax 动态电阻：Rr= ?UZ /?IZ 电压温度系数： 检测方法： 1、判断极性 2、稳定电压简易测试 RS DZ 应用：稳压电源 市电220V，50Hz U2 RL 负载直流电压 U0＝2 滤波电路 U2 RL C U0＝2 半导体材料的基本特性参数 基本特性参数 禁带宽度Eg 临界雪崩击穿电场强度Et 介电常数ε 载流子饱和速度Vs 载流子迁移率μ 载流子密度n(p) 少数载流子寿命τ 第一节 迁移率 迁移率的定义 载流子迁移率与器件特性 载流子迁移