半导体激光器工作原理及基本结构.pptVIP

平行于pn结方向--折射率导引型结构 两种结构的区别 半导体激光器常见结构 1、功率效率 加于激光器上的电功率转换为输出光功率的效率 半导体激光器的几个效率参数 降低rs，特别是制备良好的低电阻率的欧姆接触是提高功率效率的关键。改善管芯散热环境，降低工作温度也有利于功率效率的提高。 2、内量子效率 半导体激光器的几个效率参数 由于有源区内存在杂质缺陷及异质结界面态的非辐射复合和长波长激光器中的俄歇复合等因素，使得注入有源区的每一个电子—空穴对不能100％的产生辐射复合，即ηi总是小于1，但一般也有95％左右，是转换效率很高的激光器件。 3、外量子效率 半导体激光器的几个效率参数 ηex是考虑到有源区内产生的光子并不能全部发射出去，腔内产生的光子遭受散射、衍射和吸收，以及反射镜端面损耗等。因为激光器有激射的阈值特性，所以当IIth时， ηex很小，当IIth时，P直线上升， ηex变大。 半导体激光器的几个效率参数 4 斜率效率(外微分量子效率, P-I曲线的斜率) 阈值电流密度 有源区内的局部增益是均匀分布的，则模增益 分别是对应模式的增益和限制因子 为局部阈值增益系数 是镜面末端损耗 是内部损耗 afc是有源区内的自由载流子吸收系数 aout包层中的吸收系数(主要也是自由载流子吸收) as是辐射遭受有源区晶格缺陷散射和厚度不均匀引起的损耗系数 ac是辐射渗入包层的损耗系数 Je和Jh分别是流过异质结势垒的电子和空穴的漏电流 J2为有源区电流密度；ηi为内量子效率； Q2为谐振腔品质因素； 大功率半导体激光器典型结构--单元器件 大功率半导体激光器典型结构--阵列器件 半导体激光器工作原理及基本结构 李璟 半导体激光器工作原理及基本结构 工作原理 分类 材料及器件结构 半导体激光器工作原理 半导体激光器 是一种在电流注入下能够发出相干辐射光（相位相同、波长基本相同、强度较大）的光电子器件。 半导体激光器工作原理 工作三要素： 受激光辐射、谐振腔、增益大于等于损耗。 自发光辐射和受激光辐射 自发光辐射（发光二极管） 当给器件加正向偏压时，n区向p区注入电子，p区向n区注入空穴，在激活区电子和空穴自发地复合形成电子-空穴对，将多余的能量以光子的形式释放出来，所发射的光子相位和方向各不相同，这种辐射叫做自发辐射。 受激光辐射（半导体激光器） 在材料设计时，考虑将p区和n区重掺杂等工艺，使得辐射光严格在pn结平面内传播，单色性较好，强度也较大，这种光辐射叫做受激光辐射。 法布里-珀罗谐振腔 (形成相干光) 垂直于结面的两个平行的晶体解理面形成法布里-珀罗谐振腔 ，两个解理面是谐振腔的反射镜面。在两个端面上分别镀上高反膜和增透膜,可以提高激射效率. 一定波长的受激光辐射在谐振腔内形成振荡的条件: 腔长=半波长的整数倍 L=m(λ/2n) 增益和阈值电流 增益：在注入电流的作用下，激活区受激辐射不断增强。 损耗：受激辐射在谐振腔中来回反射时的能量损耗。包括载流子吸收、缺陷散射及端面透射损耗等。 阈值电流：增益等于损耗时的注入电流。 半导体激光器的分类（材料和波长） 可见光： GaAs衬底 InGaN/ GaAs 480~490nm 蓝绿光 InGaAlP/GaAs 630~680nm AlGaAs/GaAs 720~760nm 近红外长波长： GaAs衬底 AlGaAs/GaAs 760~900nm InGaAs/GaAs 980nm 远红外长波长： InP衬底 InGaAsP/InP 半导体激光器材料和器件结构 808大功率激光器结构 半导体激光器材料生长 采用MOCVD方法制备外延层，外延层包括缓冲层、限制层、有源层、顶层、帽层。有源层包括上下波导层和量子阱。 有源层的带隙比P型和N型限制层的小，折射率比它们大，因此由P面和N面注入的空穴和电子会限制在有源区中，它们复合产生的光波又能有效地限制在波导层中。大大提高了