半导体物理与器件第五章.pptVIP

例 开始光照时，过剩载流子的产生过程 求解如下：对于均匀掺杂的P型半导体材料，少数载流子电子的双极输运方程为： 根据题设条件，一维均匀半导体材料，无外加电场，除x=0点之外，各处产生率为零，要求稳态时过剩载流子分布结果，故双极输运方程可简化为： 其中Ln2=Dnτn0，称为少数载流子电子的扩散长度，根据无穷远处过剩载流子浓度衰减为零的边界条件可以得到上述微分方程解中的常数A、B值为： 其中δn(0)是x=0处过剩载流子的浓度。由上式可见，当x=0处有稳态产生时，其两侧的过剩电子浓度随着空间位置的变化呈现指数衰减分布，按照电中性原理的要求，过剩空穴浓度随着空间位置的变化也呈现出同样的指数衰减分布，如下页图所示。 在小注入条件下，多数载流子的浓度几乎没有变化，而少数载流子浓度则可能以数量级的方式增加 求解如下：对于均匀掺杂的N型半导体材料，少数载流子空穴的一维双极输运方程（t0时，g’=0）为： 当外加电场为零时，随着时间的不断推移，过剩少数载流子空穴的浓度在空间不同位置处的分布情况。根据电中性原理的要求，过剩多数载流子电子的浓度，随着时间的推移，也有同样的空间分布。当时间趋于无穷大时，过剩电子和过剩空穴的浓度由于不断复合而趋于零。 中北大学 中北大学 半导体物理与器件 中北大学 中北大学 半导体物理与器件 §5.2 载流子扩散 扩散定律 当载流子在空间存在不均匀分布时，载流子将由高浓度区向低浓度区扩散。 扩散是通过载流子的热运动实现的。由于热运动，不同区域之间不断进行着载流子的交换，若载流子的分布不均匀，这种交换就会使得分布均匀化，引起载流子在宏观上的运动。因此扩散流的大小与载流子的不均匀性相关，而与数量无直接关系。 无规则的热运动导致粒子向各个方向运动的几率都相同。 平衡态：各处浓度相等，由于热运动导致的各区域内粒子交换的数量相同，表现为宏观区域内粒子数不变，即统一的粒子浓度。 不均匀时：高浓度区域粒子向低浓度区域运动的平均粒子数超过相反的过程，因而表现为粒子的净流动，从而导致定向扩散。 扩散与浓度的不均匀有关，并且只与不均匀有关，而与总浓度无关。 例： 类比：势能：只与相对值有关，而与绝对值无关。水坝势能只与落差有关，而与海拔无关。 粒子的扩散 空间分布不均匀（浓度梯度） 无规则的热运动 若粒子带电，则定向的扩散形成定向的电流：扩散电流 光照 扩散粒子流密度： F 一维模型：粒子只能在一维方向上运动。 在某一截面两侧粒子的平均自由程l（l=vthг）范围内，由于热运动而穿过截面的粒子数为该区域粒子数的1/2。 扩散流密度：单位时间通过扩散的方式流过垂直的单位截面积的粒子数 x x+l x-l 扩散电流密度： 对于带电粒子来说，粒子的扩散运动形成扩散电流。 n(+l) n(-l) n(0) 浓度 电子流 电子电流 x(-l) x(+l) x n(+l) n(-l) n(0) 浓度 空穴流 空穴电流 x(-l) x(+l) x 扩散 系数 总电流密度 半导体中四种独立的电流：电子的漂移及扩散电流；空穴的漂移及扩散电流。 总电流密度为四者之和： 漂移电流：相同的电场下，电子电流与空穴电流的方向相同。 扩散电流：相同的浓度梯度下，电子电流与空穴电流的方向相反。 在半导体中，电子和空穴的扩散系数分别与其迁移率有关 §5.3 杂质浓度分布与爱因斯坦关系 前边讨论的都是均匀掺杂的半导体材料，在实际的半导体器件中，经常有非均匀掺杂的区域。 热平衡状态下：非均匀掺杂将导致在空间的各个位置杂质浓度不同，从而载流子浓度不同。形成的载流子浓度梯度将产生扩散电流。并且由于局域的剩余电荷（杂质离子）存在而产生内建电场。 内建电场形成的漂移电流与扩散电流方向相反，当达到动态平衡时，两个电流相等，不表现出宏观电流，从而造成了迁移率和扩散系数之间的关联：爱因斯坦关系。 缓变杂质分布引起的内建电场热平衡状态的半导体材料费米能级保持为一个常数，因而非均匀掺杂半导体不同位置?E=Ec-EF不同。其能带结构如图所示： 热平衡状态下的均匀掺杂半导体 E x Ec Ev EFi EF E x Ec Ev EFi EF 热平衡状态下的不均匀掺杂半导体 nx 多数载流子（电子）从浓度高的位置流向浓度低的位置，即电子沿着x的方向流动，同时留下带正电荷的施主离子，施主离子和电子在空间位置上的分离将会诱生出一个指向x方向的内建电场，该电场的形成会阻止电子的进一步扩散。 达到平衡后，空间各处电子的浓度不完全等同于施主杂质的掺杂浓度，但是这种差别并不是很大。（准电中性条件） 注意：这里没有考虑少子空穴的扩散，为什么？ 对于一块非均匀掺杂的N型半导体材料，我们定义各处电势（电子