半导体材料期末复习.pptVIP

1.5 非平衡流子 处于热平衡状态的载流子浓度称为热平衡载流子浓度，用n0和p0分别表示热平衡电子浓度和热平衡空穴浓度，他们的乘积满足下式： 1.5.1 非平衡载流子的产生 如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，迫使它处于热平衡的相偏离的状态，称非平衡状态。 光照产生非平衡载流子示意图 1.5.2 非平衡载流子的寿命 产生非平衡载流子的外部条件撤出后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡状态恢复到平衡态，过剩载流子逐渐消失，这一过程称为非平衡载流子的复合。非平衡载流子的指数衰减式为 非平衡载流子浓度随时间的变化率 1.5.3 非平衡载流子的复合类型 直接复合：指导带电子与空穴电子放出能量，直接跳回价带与空穴复合所引起的电子-空穴对的消失过程； 间接复合：指电子与空穴通过所谓复合中心进行的复合。 1.5.4 准费米等级 引入准费米能级后，非平衡状态下的载流子浓度也可以用与平衡载流子浓度类似的公式来表达 非平衡状态下电子浓度和空穴浓度乘积为 晶体结构是值原子在三维空间中周期性排列着的单晶体。 晶胞：单晶体结构可以用任意一个最基本的单元所代表，称这个最基本的单元叫晶胞。 晶格：单晶体是由晶胞在三维空间周期性重复排列而成，整个晶体就像网格一样，称为晶格。 格点与点阵，组成晶体的原子重心所在的位置称为格点，格点的总体称点阵。 1.1.3 半导体的晶体结构 3种常见的立方晶体的晶胞 a）简单立方 b）体心立方 c）面心立方 金刚石结构的晶胞与平面示意图 a）金刚石型结构的晶胞 b）硅晶体的平面结构示意图 金刚石型结构 a）正四面体 b）结构 晶面及其表示方法 密勒指数：密勒指数是界定晶体中不同平面的简单办法，它可以由以下步骤确定： 1.找出晶面在3个直角坐标轴的截距值（以晶格常数为计量单位）； 2.取这3个截距值的倒数，将其换算成最小的整数比； 3.把结果用圆括号括起来（hkl）， 即为该晶面的密勒指数。 1.1.5 半导体材料简介 材料永远起着决定一代社会科技水平的关键作用 锗是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料 硅是最典型、用量最广泛而数量最多的半导体材料 近年来一些化合物半导体材料已被应用于各种器件的制作中 半导体已经发展成为种类繁多的大科门类材料 半导体的能带1.2.1 孤立原子中电子能级 孤立氢原子中电子能量公式： m0 是自由电子的惯性质量；q为电子电荷；ε0 为真空介电常数；h为普朗克常数；n为量子数取正整数。根据上式可得氢原子能级图。 1.2.2 晶体中电子的能带 本节重点讨论有原子结合成晶体时电子的运动规律 1.晶体中电子的共有化运动 价电子轨道重叠运动区域连成一片示意图 2.晶体中电子能带的形成 N个原子结合成晶体前后的能级状态 单个原子的能级与晶体能带的对应图 硅晶体能带的形成过程 1.2.4 能带图的意义及简化表示 晶体实际的能带图比较复杂，可以把复杂的能带图进行简化 绝缘体、半导体和导体的简化能带图 a） 绝缘体 b）半导体 c）导体 半导体能带简化表示 a）能带简化表示 b） 能带最简化表示 一般用“Ec”表示导带底的能量，用Ev表示价带底的能量，Eg表示禁带宽度。 1.3 本征半导体与本征载流子浓度1.3.1 本征半导体的导电结构 半导体填充能带的情况 a）T=0K b） T0K 本征半导体是指完全纯净的 结构完整的 不含任何杂质和缺陷的半导体. 本征半导体导带电子和价带空穴均能在外加电场作用下,产生定向运动形成电流,把上述两种荷载电流的粒子称为半导体的俩种载流子. 导带电子浓度和价带空穴浓度永远相等,这是本征半导体导电机构的一个重要特点. 1.3.2 热平衡状态与热平衡载流子浓度 在本征半导体中,载流子是由价带电子受晶格热运动的影响激发到导电带中而产生的,热激发有使载流子增加的倾向. 导带电子以某种形式放出原来吸收的能量与空穴复合,复合作用又使电子和空穴的数目减少. 我们把载流子的热激发产生率与复合率达到平衡的状态,称为半导体的热平衡状态.热平衡状态下的载流子浓度值称为热平衡载流子浓度. 1.3.3 本征载流子浓度 要分析载流子在外界作用下的运动规律,必须要知道它们的浓度及浓度分布情况. 在半导体的导带和价带中,有很多能级存在,相邻间隔很小,约为 数量级,可近似认为能级是连续的,故可把能带分为一个一个能量很小的间隔来处理. 设电子浓度为n,首先计算能量增量dE范围内的电子浓度. 定义n(E)是单位体积内允许的能态密度N(E)与电子占据该能量的机率函数f(E)的乘积.对N(E) f(E) dE从导带底Ec到导带顶Etop进行积分,可得电子浓度n. 式中N(E)称为能态密度,在单位体积晶体中,允许的能态密度表达式为 对于价带