半导体器件的基础知识.pptVIP

速度饱和效应的物理解释： 当电场足够强时，电子在单位时间内能量高，和晶格进行能量交换时发射光学声子，这样载流子能量因发射声子而使其漂移速度趋于饱和。 负微分迁移效应 由于电子的不等价能谷间转移形成的。热电子有主能谷跃迁到能量较高的自能谷，子能谷的迁移率较低，如果迁移电子数量较多，平均的漂移速度会降低。 表面散射及表面迁移率 表面散射：各种与表面相关联的因素对载流子迁移率的附加影响； 越靠近表面，影响越大，对电子影响大于空穴； 第二节 载流子密度和电阻率 材料电阻率和器件特性 载流子数量统计和来源 载流子密度的决定因素 禁带窄化 第二节 载流子密度和电阻率 由上式可知，ρ与掺杂浓度密切相关，可作为半导体纯度的反映； 材料电阻率与器件击穿电压 功率器件的击穿电压主要决定于本底材料电阻率。 功率器件的击穿是指承受反向偏压的pn结的雪崩击穿。 器件击穿 雪崩击穿： 高电压击穿； 条件： 足够高U和适当的WK 器件穿通 若pn结轻参杂层设计的不够宽，以至雪崩击穿尚未发生而空间电荷区已扩展到与电极相接，则器件先于击穿的发生而失去阻断能力。这种现象称为穿通 载流子统计 简并半导体的载流子密度统计 载流子来源 本征载流子： 是指把价带中的一个电子激发到导带，同时产生一个电子和一个空穴 本征激发主要有热激发和光激发 掺杂载流子： 在半导体中掺入具有恰当化合价的杂质原子。 n型掺杂和p型掺杂； 注入载流子：光注入和电注入； 禁带窄化 本征或轻掺杂半导体中，导带、价带、禁带之间界限清晰； 重掺杂（杂质原子百分比≥1/1000）时，会出现禁带窄化效应； 杂质原子近距减小，相互作用增强，能带出现杂化，能级分裂成能带； 问题讨论 爱因斯坦关系中，扩散系数D，载流子的扩散 载流子饱和速度公式 第1章 半导体器件 半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，是构成各种电子电路的核心，常用的半导体元器件有二极管、晶体管、场效应管等。 半导体元器件由半导体材料制成，因此，学习电子技术应首先了解半导体材料的特性，这将有助于对半导体元器件的学习、掌握和应用。 1.1 半导体器件的基础知识 1.1.1 半导体材料 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，这类材料大都是三、四、五价元素,主要有：硅、锗、磷、硼、砷、铟等，他们的电阻率在10-3～107欧.厘米。 半导体材料的广泛应用，并不是因为它们的导电能力介于导体与绝缘体之间，而是它们具有一些重要特性： 1）当半导体受到外界光和热的激发（本征激发）时，其导电能力发生显著的变化； 半导体的这些特点取决于这类物质的化学特性。 2）若在半导体中加入微量的杂质（不同的半导体）后，其导电能力显著的增加； 在这里，我们的目的不是研究半导体材料，而是借助半导体材料的特性来建立一些概念和术语，如多数、少数载流子，P型半导体、N型半导体，PN结，载流子的扩散与漂移运动， PN结的正反偏置， PN结的导通与截止等。 绝对纯净的硅、锗、磷、砷、硼、铟叫做本征半导体。 1.1.2 本征半导体 1)半导体的化合价 物质的化学和物理性质都与物质的价电子数有密切的关系，半导体材料大都是三、四、五价元素。硅、锗（四价）、磷、砷（五价）、硼、铟（三价）。 2)化学键 物质化学键分离子键、共价键和金属键三种，半导体物质的化学键都属于共价键的晶体结构，同时它们的键长一般很长，故原子核对价电子的束缚力不象绝缘物质那样紧，当价电子获得一定的能量后，就容易挣脱原子核的束缚成为自由电子。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 ① 共有价电子挣脱原子核的束缚成为自由电子； 可见半导体中的载流子有两种，即自由电子（●）和空穴(○)。本征半导体的载流子是由本征激发而产生的，其自由电子与空穴是成对出现，即有一个自由电子，就一定有一个空穴，故称电子空穴对。 由于空穴带正电，容易吸引邻近的价电子来填补，从而形成了共有价电子的运动，这种运动无论从效果上，还是从现象上，都好象一个带正电的空穴在移动，它不同于自由电子的运动，故称之为空穴运动。 物质的导电是靠物体内带电粒子的移动而实现的，这种粒子称作载流子。金属中的载流子是自由电子。 1）载流子的概念 ②由于共有价电子的离去，使共价键结构上留下一个空位，电子技术中称之为“空穴”。此时该共价键原子的中性被破坏，成为带正电的离子，电子技术中称之为产生了带正电的“空穴”。 2）半导体的载流子 当半导体受