半导体材料第2讲-硅和锗的化学制备.pptVIP

资 金 的 使 用 是 有 限 的，人 力 资 源 的 开 发 是 无 限 的。 LSD12E和LSD30E结构和功能实现 两者在功能实现和机构上存在较大区别，冷却方式不同决定了结构和功能的差异，另外功率不同谐振腔体不同。功能实现上都是通过声光调Q来控制激光输出。 资 金 的 使 用 是 有 限 的，人 力 资 源 的 开 发 是 无 限 的。 LSD12E和LSD30E产品设计结构以及差异特点 LSD12E采用的风冷，无水箱，设备整体体积较小，采用半导体TEC制冷片对激光器和LD模块温度进行调节，保证设备在相对恒定温度情况下工作。LSD12E还有分体和一体的区别，一体机含桌面式工作，分体采用的是型材工作台，适应不同客户需求。 资 金 的 使 用 是 有 限 的，人 力 资 源 的 开 发 是 无 限 的。 LSD30E和LSD12E有较大差异，由于LSD30E设备采用双端面泵浦（即两个泵浦源）增加了水冷系统，改设备水冷系统采用目前最流行的半导体制冷水箱（无需空调），代替了LSD12E风冷系统，使得设备整体性能更加稳定。 本世纪50年代，半导体应用的发展，带动了单晶硅的生产。单晶硅是由许多硅原子 以金刚石晶格结构 排列成晶核 长成晶面取向相同的晶粒，并平行结合变成单晶硅。超纯单晶硅是最早使用的半导体材料，其纯度可高达99.9999999999%，在这样纯的单晶硅中，每一万亿个原子中有一个杂质原子。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶的生长方法很多，主要有四种： 区熔法。1952年，由美国科学家蒲凡所发明。在一个长棒形固体非单晶原料中，有一段短的区域被加热融熔，并且缓慢地从一端移向另一端，使原料内的物质在结晶过程中重新分布，达到提纯物质重新结晶的目的。区熔法目前仍在广泛使用。 水热法。单晶体在高温高压条件下从溶液中生长，所使用的容器是高压釜。通常把原料放在温度比较高的底部，籽晶放在温度较低的上部，容器内充满溶剂。在高压釜底部的高温部分，原料溶解在溶剂中，由于温差对流，溶解的原料被溶液带到釜上部，在籽晶附近达到过饱和状态，并在籽晶上结晶。溶液的循环，使底部的原料不断溶解；而上面的籽晶不断生长。目前水热法主要用于生长水晶以及其它氧化物单晶。 此外，还有外延生长法和升华法。 武汉华工激光工程有限责任公司 Wuhan Huagong Laser Engineering CO., Ltd. 2009年4月13日 半导体泵浦激光打标机 半导体泵浦激光打标记 武汉华工激光工程有限责任公司 Wuhan Huagong Laser Engineering CO., Ltd. 2009年4月13日 半导体泵浦激光打标机所用的激光器，从工作物质分类来讲，属于固体激光激光器的的一种。用于激光加工的固体激光器实际主要有三种：红宝石激光器、钕（NV）玻璃激光器、Nd:YAG激光器三种。 Nd:YAG激光器为目前市场上应用最多的一种。公司生产的侧泵激光打标设备采用的为Nd:YAG晶体，端泵激光打标设备采用的为YVO4晶体。 半导体泵浦激光打标记 武汉华工激光工程有限责任公司 Wuhan Huagong Laser Engineering CO., Ltd. 2009年4月13日 半导体泵浦激光器采用与YAG光谱吸收带吻合的激光二极管来泵浦Nd:YAG,大大减少了非吸收带光能转换的热量，激光二极管泵浦（简称LD泵浦）的Nd:YAG激光器的主要特点是电光转换效率高（约为20%～40%），直接获取二极管产生的紫外波长激光(中心波长约为808nm)。 LD泵浦的Nd:YAG激光器有两种激励方式： (a)侧面泵浦激励； (b)端面泵浦激励。 侧面泵浦激光器最核心的部分就是激光器模块部分，我公司生产的LSD50SI激光器中使用的激光器模块部分，主要由三个部分组成： 1、Nd:YAG晶体； 2、二极管模块阵列（每个阵列由3个二极管串联 组成）3个； 3、金属固定件。 二极管模块所产生的泵浦光波长约为808nm，三个二极管模块阵列均匀分布在Nd:YAG晶体，成120度角。 侧面泵浦激光打标机的核心激光器模块（左图），其中的单个的LD泵浦（右上图）。该部分安装有严格的工艺要求。早期学习日本先进的工艺装配技术 资 金 的 使 用 是 有 限 的，人 力 资 源 的 开 发 是 无 限 的。 1 2