半导体基础知识-三极管.pptVIP

温度对晶体三极管特性的影响 由于三极管也是由半导体材料构成，和二极管一样，温度对晶体管的特性有着不容忽视的影响。主要表现在以下三个方面： (2)温度对VBE的影响：输入特性曲线随温度升高向左移，这样在IB不变时，VBE将减小。VBE随温度变化的规律与二极管正向导通电压一样，即：温度每升高1℃，VBE减小2～。 (1)温度对ICBO的影响：ICBO是集电结的反向饱和电流，它随温度变化的规律是： 温度每升高10℃，ICBO约增大一倍。 (3)温度对β的影响：晶体管的电流放大系数β随温度升高而增大，变化规律是：每升高1℃，β值增大～1%。 在输出特性曲线上，曲线间的距离随温度升高而增大。 总之：温度对VBE、ICBO和β的影响反映在管子上的集电极电流Ic上，它们都是使Ic随温度升高而增大，这样造成的后果将在后面的放大电路的稳定性及反馈中详细讨论。 （1）为了在放大模式信号时不产生明显的失真，三极管 应该工作在输入特性的线性部分，而且始终工作在输出特 性的放大区，任何时候都不能工作在截止区和饱和区。 （2）为了保证三极管工作在放大区，在组成放大电路时，外加的电源的极性应使三极管的发射结处于正向偏置状态，集电结则处于反向偏置状态。 晶体管三极管的工作特点 （3）即使三极管工作在放大区，由于其输入，输出特性 并不完全理想（表现为曲线而非直线），因此放大后的 波形仍有一定程度的非线性失真。 （4）由于三极管是一个非线性元件，其各项参数（如β、 rbe等）都不是常数，因此在分析三极管组成的放大电路时， 不能简单地采用线性电路的分析方法。而放大电路的基本 分析方法是图解法和微变等效电路（小信号电路分析）法。 第一章 半导体二极管和三极管 第一章 半导体二极管和三极管 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管 §1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 无杂质 稳定的结构 2、本征半导体的结构 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。 动态平衡 两种载流子 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？ 3、本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 二、杂质半导体 1. N型半导体 磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ 2. P型半导体 硼（B） 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强， 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ 三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。 扩散运动 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。 PN 结的形成 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态