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一、GAL器件的性能特点 1、采用电可擦除工艺，使门阵列的每个单元可以 重新编程，整个器件的逻辑功能可以重新配置。一 般至少可以擦写100次。 2、采用高性能的E2CMOS工艺，使GAL器件具有双极 型的高速性能(12～40nS)，而功耗仅为双极型PAL 器件的1/2～1/4(45mA～90mA)。编程数据可保存20 年以上。 3、可编程的输出逻辑宏单元(OLMC)，使GAL器件对 复杂的逻辑设计具有极大的灵活性。 的功能可测试性。 以检查时序电路的自启动能力，使GAL器件有100% 4、 每个输出寄存器的状态可以进行预置，从而可 5、具有上电复位功能，开电源时向每个寄存器提 供一个复位信号，使寄存器的Q端为“0”。 6、电改写过程快速，改写整个芯片只需数秒。 7、电路设有加密单元，可防止抄袭电路设计。 8、含有不受保密位控制的电子标签字，可存放标 识符方便了文档管理。 例如：将一片EPROM 2716中写入如下数据：00H-01H- … -FEH-FFH-FEH- … -01H-00H-01H- …。 采用如下电路，振荡器产生的连续脉冲信号作为计数器的时钟输入，计数器由3片四位二进制计数器74LS163组成12位的同步计数器，计数器的低11位输出作为EPROM的地址，这样，EPROM就可以反复输出其存贮的数据，在示波器上就可以观察到一个三角波形。 （4）实现组合逻辑函数 从ROM的结构可看出，当把输入地址看作二进制变量，将地址译码器的输出看作是由输入变量组成的全部最小项，将存储矩阵（或阵列）看作是“或”输出时，则ROM就可组成任意组合逻辑，具有n位地址输入、m位数据输出的ROM可实现m个n变量的组合逻辑函数。 【例7-1】利用ROM完成8421BCD到余3码的转换。 解：设8421BCD为A3A2A1A0，余3码为Y3Y2Y1Y0，二者之间的对应关系如表7-2所示。 取具有4位地址输入、4位数据输出的16×4位ROM，将4个输入变量分别接至地址输入端A3、A2、A1、A0，按照逻辑函数的要求存入相应的数据，即可在数据输出端获得Y3、Y2、Y1、Y0。具体实现电路如图7-8所示。 7.1.2 随即存取存储器 随机存取存储器（Random?Access?Memory，RAM）是一种读写方便、使用灵活的随机读/写存储器。但是一旦掉电，存储的信息就会丢失。RAM适用于数据需要随时读写的工作环境。如计算机里的内存条，显卡的显存就是典型的RAM。 1. RAM的分类 RAM根据原理的不同，分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）两种。按照集成电路器件的不同，又可分为双极型和MOS型两种。 （1）SRAM SRAM是一种只要在供电条件下便能够存储数据的存储器件，是大多数高性能系统的一个关键部分。 SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。 （2）DRAM DRAM，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。 DRAM一般用作计算机中的主存储器。 2. RAM的特点 　　（1）随机存取 （2）易失性 （3）高访问速度 （4）需要刷新 （5）对静电敏感 3. RAM的应用 RAM主要的应用场合是计算机系统，例如个人电脑中的内存用的就是DRAM。因为DRAM需要刷新逻辑电路，所以在数字化仪器仪表的单片机系统中，大都采用SRAM。 常用的SRAM有几种：2114 1K×4位；6116 2K×8位；6264 8K×8位。 图7-10是由2片6264构成的16KB的数据存贮器电路，每片6264的地址范围为：RAM0，2000H-3FFFH，8KB；RAM1，4000H-5FFFH，8KB 可编程器件 .1概述 为了解决早期采用专用集成电路（ASIC）完成电路设计所存在的。开发费用高、设计周期长、产品的性价比较低等缺陷。出现了一种新的器件：能够简化设计过程、降低系统体积、节约成本、提高可靠性、缩短研发周期、各个厂家可以提供、具有一定连线和封装